5082-2800#T50技术参数

安华高科技（现隶属于Broadcom博通）推出的5082-2800#T50是一款采用轴向封装的单肖特基二极管。该器件基于成熟的肖特基势垒技术构建，其核心在于金属-半导体结，相较于传统的PN结二极管，能够实现更低的正向压降和极快的开关速度，这使其在高频应用中表现出色。

该二极管的一个显著特点是其70V的峰值反向电压规格，这为电路设计提供了可靠的电压裕度，增强了系统在瞬态电压下的稳定性。其最大正向电流为15mA，功率耗散为250mW，适用于小信号处理领域。特别值得注意的是，在0V偏压和1MHz测试频率下，其结电容典型值仅为2pF，这一低电容特性是其实现优异高频性能的关键，能有效减少开关过程中的电荷存储效应和信号失真。

在物理接口与封装方面，5082-2800#T50采用标准的DO-35（DO-204AH）轴向玻璃封装。这种封装形式具有良好的可靠性和通孔安装的便利性，其紧凑的尺寸也利于在空间受限的PCB布局中使用。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过专业的安华高芯片代理获取此型号器件及相关设计资源。

凭借其高速、低电容和适中的电压耐受能力，这款肖特基二极管非常适合应用于高频信号检波、射频混频器、高速开关电路以及仪器仪表中的信号采样与保持电路。它也是VHF/UHF频段通信设备、测试设备前端以及各类需要快速二极管进行钳位或整流的精密模拟电路中的理想选择。

• 制造商产品型号：5082-2800#T50
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：DIODE SCHOTTKY SINGLE 70V AXIAL
• 系列：-
• 二极管类型：肖特基 - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）：70V
• 电流 - 最大值：15mA
• 不同 Vr、F 时的电容：2pF @ 0V，1MHz
• 不同 If、F 时的电阻：-
• 功率耗散（最大值）：250mW
• 产品封装：DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装：-
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴，我们长期提供5082-2800#T50现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。