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ACMD-7602-TR1G技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:RF双工器,3-CSP
  • 技术参数:DUPLEXER FBAR UMTS BAND1 2.5X3MM
  • 专注销售安华高电子元器件,承诺原装!现货当天发货!
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ACMD-7602-TR1G技术参数详情说明:

作为一款高性能的射频前端组件,ACMD-7602-TR1G采用了先进的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术来构建其核心的双工器架构。FBAR技术以其卓越的品质因数(Q值)和功率处理能力著称,能够在紧凑的物理尺寸内实现陡峭的滤波边缘和极低的插入损耗,这对于现代高密度集成的移动通信设备至关重要。该架构确保了在指定的UMTS Band 1频段内,发射与接收通道之间实现高效、清晰的信号隔离,从而保障了通信链路的稳定性和可靠性。

该器件的主要功能特点是其优异的频带隔离性能。它针对UMTS Band 1(上行1920-1980 MHz,下行2110-2170 MHz)进行了优化,在低频带(接收端)提供了高达53 dB的最小衰减,在高频带(发射端)则提供了41 dB的最小衰减,这有效防止了发射信号对灵敏的接收机前端造成阻塞或干扰。同时,其出色的回波损耗性能,低频带为20 dB,高频带为16 dB,意味着信号能够高效地传输到天线端口,减少了因阻抗失配造成的功率反射和损耗,提升了整体系统的能效。其紧凑的2.5mm x 3.0mm表面贴装封装,使其能够轻松集成到空间受限的智能手机、数据卡和移动热点等设备的PCB布局中。

在接口与关键参数方面,该双工器设计为标准的表面贴装器件,采用3-CSP封装形式,便于自动化贴片生产。其工作频段严格对应UMTS Band 1,确保了与全球范围内该频段网络基础设施的兼容性。优异的衰减和回波损耗参数共同定义了其射频性能边界,为系统设计工程师提供了明确的性能预期。对于需要可靠、高性能射频前端解决方案的客户,可以通过安华高中国代理获取该产品的技术支持与供应服务。

基于其技术特性,ACMD-7602-TR1G非常适用于所有工作在UMTS Band 1(或称WCDMA 2100)标准的3G移动通信终端与设备。这包括但不限于智能手机、平板电脑、USB上网卡、便携式路由器以及各类物联网(IoT)模块。在这些应用场景中,该芯片能够确保设备在复杂电磁环境下维持清晰的语音通话和高速数据连接,是构建高性能、高可靠性无线通信系统的关键元件之一。

  • 制造商产品型号:ACMD-7602-TR1G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:DUPLEXER FBAR UMTS BAND1 2.5X3MM
  • 系列:-
  • 频带(低/高):1.92GHz ~ 1.98GHz / 2.11GHz ~ 2.17GHz
  • 低频带衰减(最小/最大 dB):53.00dB / -
  • 高频带衰减(最小/最大 dB):41.00dB / -
  • 回波损耗(低频带/高频带):20dB / 16dB
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装:3-CSP
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供ACMD-7602-TR1G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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