HSMS-286K-TR1技术参数

作为一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频肖特基二极管，HSMS-286K-TR1采用了先进的1对隔离式肖特基二极管架构。该架构将两个独立的肖特基结集成于单一微型封装内，并通过内部隔离设计有效降低了结间寄生耦合，为高频信号处理提供了优异的电气隔离性能。这种设计使得该器件能够在射频前端电路中实现高效的信号检波、混频或开关功能，其核心优势在于极低的结电容和快速开关响应。

该器件的显著特性体现在其射频性能参数上。在0V偏压、1MHz测试条件下，其结电容典型值仅为0.25pF，这一极低的电容值对于维持高频信号完整性、减少信号损耗至关重要。同时，其峰值反向电压为4V，能够满足多数低电压射频系统的保护需求。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标在特定应用领域仍具有参考价值，用户可通过安华高代理渠道获取库存或替代方案的技术咨询。

在物理接口与可靠性方面，HSMS-286K-TR1采用了紧凑的6引脚SOT-363（亦称SC-88或TSSOP-6）封装，这种封装形式非常适合高密度表面贴装，有助于节省宝贵的PCB空间。其工作结温高达150°C，确保了在严苛环境或高功率密度设计中的稳定运行。这些物理和热学特性使其能够适应自动化贴装工艺，并保证在宽温度范围内的性能一致性。

从应用场景来看，凭借其低电容、高隔离度的特点，该器件传统上广泛应用于微波检波、射频信号电平检测、低功耗混频器以及高速开关电路中。它常见于无线通信模块、测试测量设备（如频谱分析仪）、卫星接收前端以及需要精确射频信号处理的便携式设备。其微型封装尤其适合对空间有严格限制的现代消费电子和物联网设备射频前端设计。

• 制造商产品型号：HSMS-286K-TR1
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT363
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 1 对隔离式
• 电压-峰值反向（最大值）：4V
• 电流-最大值：-
• 不同Vr、F时电容：0.25pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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