

HSMS-2829-TR1技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-253-4,TO-253AA
- 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT143-4
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HSMS-2829-TR1技术参数详情说明:
HSMS-2829-TR1是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管,采用紧凑的SOT-143-4(TO-253-4)封装。该器件采用交叉对管架构,将两个独立的肖特基二极管集成在单一芯片上,其内部连接方式为共阴极配置,这种结构特别有利于射频信号处理中的平衡混频、检波和倍频应用,能够有效抑制偶次谐波并提升电路的共模抑制能力。
该二极管的核心优势在于其卓越的射频性能。其极低的结电容(典型值1pF @ 0V, 1MHz)和串联电阻(典型值12欧姆 @ 5mA, 1MHz),确保了在高达数GHz频率范围内仍能保持优异的信号完整性和低损耗特性。高达150°C的结温(TJ)使其具备良好的热稳定性,适用于环境要求相对严苛的场合。其峰值反向电压为15V,最大正向电流为1A,为中小功率射频应用提供了可靠的电气裕量。对于需要获取此型号原装正品或技术支持的工程师,可以通过正规的安华高代理渠道进行咨询与采购。
在接口与参数方面,HSMS-2829-TR1的SOT-143-4封装提供了四个引脚,便于在PCB上进行灵活的布局布线,其小型化设计也顺应了现代电子产品高密度集成的趋势。虽然该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和稳定的性能使其在特定存量应用和替代设计中仍具有参考价值。关键的电参数,如低结电容和串联电阻,直接决定了其在高速开关和射频信号路径中的表现,是评估其适用性的核心指标。
该器件典型的应用场景集中在射频前端和信号调理电路。它非常适合用于UHF至微波频段的混频器、检波器,能够高效地将射频信号下变频或解调出基带信息。此外,在频率倍增器、限幅器以及高速开关电路中,其快速开关特性和低寄生参数也能发挥关键作用。常见于无线通信模块、测试测量仪器、雷达接收前端等对射频性能有较高要求的电子系统中。
- 制造商产品型号:HSMS-2829-TR1
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT143-4
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 交叉
- 电压-峰值反向(最大值):15V
- 电流-最大值:1A
- 不同Vr、F时电容:1pF @ 0V,1MHz
- 不同If、F时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:TO-253-4,TO-253AA
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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