HSMS-285L-TR1G技术参数

HSMS-285L-TR1G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装射频肖特基二极管。该器件采用紧凑的SOT-363（SC-88）封装，内部集成了三个独立的肖特基二极管单元，为高频电路设计提供了灵活的配置选项。其核心架构基于优化的肖特基结工艺，旨在实现极低的结电容和串联电阻，从而在高达数GHz的射频范围内保持优异的信号完整性。

该芯片的关键特性在于其卓越的高频性能。在1V反向偏压和1MHz测试条件下，其典型结电容仅为0.3pF，这一极低的电容值使其对高频信号的旁路效应降至最低，非常适合用于高频检波、混频以及低损耗开关等应用。同时，其峰值反向电压为2V，适用于低电压工作环境。尽管该产品系列目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在特定存量或延续性项目中仍具参考价值。对于需要此类经典器件的用户，可以通过专业的安华高中国代理渠道咨询库存或替代方案。

在接口与参数方面，HSMS-285L-TR1G采用6引脚TSSOP封装，三个二极管以独立形式提供，引脚排列便于在电路中实现共阴极、共阳极或独立连接，为电路板布局提供了高度的灵活性。其工作结温高达150°C，确保了在较高环境温度下的可靠运行。这些参数共同指向了对低插损、高隔离度和快速开关速度有严格要求的应用场景。

基于上述特点，HSMS-285L-TR1G的传统应用场景主要集中在射频前端领域。它常被用于移动通信设备、无线局域网模块、卫星接收机中的低功率电平检波器，也可作为平衡混频器中的关键非线性元件。其小型化封装和优异的高频特性，也使其适用于对空间有严格限制的便携式电子设备和高密度集成的射频模块中，是实现信号处理功能的一个经典分立解决方案。

• 制造商产品型号：HSMS-285L-TR1G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT363
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 3 个独立式
• 电压-峰值反向（最大值）：2V
• 电流-最大值：-
• 不同Vr、F时电容：0.3pF @ 1V，1MHz
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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