HSMS-280F-BLKG技术参数

安华高科技（现隶属于Broadcom博通）推出的HSMS-280F-BLKG是一款采用肖特基势垒技术的射频二极管，其核心架构为一对共阴极配置的二极管集成于单一芯片上。这种设计在紧凑的封装内实现了优异的电气对称性，为高频信号处理提供了稳定可靠的双二极管功能单元，特别适用于需要精确匹配和低寄生参数的电路环境。

该器件在射频领域展现出显著的功能优势。其极低的结电容（典型值2pF @ 0V, 1MHz）与串联电阻（典型值35欧姆 @ 5mA, 1MHz）是其在高达数GHz频率范围内保持高性能的关键。低电容确保了信号路径的高阻抗和对高频分量的最小衰减，而低串联电阻则直接转化为更低的插入损耗和更高的检波灵敏度，这对于微弱信号的处理至关重要。其峰值反向电压高达70V，最大正向电流为1A，提供了宽泛的安全工作裕度。

在接口与参数层面，HSMS-280F-BLKG采用标准的SC-70（SOT-323）表面贴装封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其工作结温高达150°C，确保了在严苛环境下的长期可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能使其在特定存量项目和设计中仍具参考价值，用户可通过可靠的安华高芯片代理渠道获取库存或替代方案咨询。

基于其技术特性，该芯片典型应用于高频信号检波、混频器、平衡调制器以及高速开关电路。在通信设备、测试与测量仪器、雷达接收前端等对频率响应和线性度有严格要求的场景中，它能有效提升系统的整体性能。其共阴极结构尤其适合用于需要将射频信号进行精确相位处理的架构，例如在镜像抑制混频或相位检测电路中扮演关键角色。

• 制造商产品型号：HSMS-280F-BLKG
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 1 对共阴极
• 电压-峰值反向（最大值）：70V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：35 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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