

HSMS-2855-BLKG技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-253-4,TO-253AA
- 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT143-4
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HSMS-2855-BLKG技术参数详情说明:
作为安华高科技(现隶属于Broadcom博通)射频二极管系列中的一员,HSMS-2855-BLKG采用了一对独立的肖特基二极管核心架构,集成于紧凑的SOT-143-4(TO-253-4)封装内。这种双独立二极管的设计为电路工程师提供了高度的灵活性,允许其在混频器、检波器或开关电路中作为对称或非对称单元使用,简化了PCB布局并提升了系统集成度。其肖特基结工艺是实现高频性能的关键,确保了在射频信号处理中具有极快的开关速度和低的正向压降。
该器件的显著功能特点在于其极低的结电容与优化的射频特性。在1V反向偏压和1MHz测试条件下,其典型结电容仅为0.3pF,这一超低电容值对于维持高频信号路径的完整性至关重要,能有效减少信号损耗和失真,尤其适用于GHz频段的应用。尽管其峰值反向电压最大值为2V,这明确了它适用于小信号处理领域,但其高达150°C的结温(TJ)保证了在宽温范围内的稳定工作可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户,通过安华高一级代理可以获得原厂规格的器件与技术支持。
在接口与参数层面,HSMS-2855-BLKG采用四引脚封装,为两个独立二极管提供了清晰的引脚定义,便于在平衡电路配置中实现精确的阻抗匹配。其射频参数,特别是低电容与肖特基二极管固有的低开启电压特性,共同构成了其在微弱信号处理方面的优势。虽然该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的性能指标,使其在现有系统维护或特定设计传承中仍具参考价值。
典型的应用场景涵盖了对频率和效率有苛刻要求的领域。它非常适合用于微波检波与混频、射频识别(RFID)读写器前端、以及测试测量设备中的信号采样与功率检测电路。在通信模块、卫星接收LNB(低噪声降频器)等设备中,其优异的射频特性有助于提升系统灵敏度和动态范围。因此,HSMS-2855-BLKG代表了在特定射频小信号处理场景下,一个在性能与尺寸间取得平衡的经典解决方案。
- 制造商产品型号:HSMS-2855-BLKG
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT143-4
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 2 个独立式
- 电压-峰值反向(最大值):2V
- 电流-最大值:-
- 不同Vr、F时电容:0.3pF @ 1V,1MHz
- 不同If、F时电阻:-
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:TO-253-4,TO-253AA
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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