

HSMS-282M-TR2G技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT363
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HSMS-282M-TR2G技术参数详情说明:
HSMS-282M-TR2G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装射频肖特基二极管对。该器件采用紧凑的6引脚SOT-363(SC-88)封装,内部集成了两对独立的肖特基二极管,并以共阴极结构配置。这种架构使其在射频信号路径中能够实现高效的检波、混频或开关功能,同时得益于肖特基结的低正向压降和快速开关特性,特别适合处理高频小信号。
该芯片的核心优势在于其卓越的射频性能参数。在0V偏置和1MHz测试条件下,其结电容典型值低至1pF,这一特性对于维持高频电路的带宽和减少信号损耗至关重要。同时,在5mA正向电流和1MHz条件下,其串联电阻仅为12欧姆,确保了信号通路具有较低的插入损耗。器件可承受高达15V的峰值反向电压,最大正向电流为1A,结合其高达150°C的结温工作能力,展现了良好的电气鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过安华高中国代理获取相关的技术支持和库存信息。
在接口与参数方面,其SOT-363封装为设计提供了高度的灵活性,便于在密集的电路板上布局。虽然该产品系列目前已处于停产状态,但其成熟的性能指标使其在特定存量或延续性设计中仍具参考价值。其低电容和低电阻的组合,使其在从几百MHz到数GHz的频段内都能保持稳定的性能,是传统射频前端设计中一个经过验证的选择。
基于上述特性,HSMS-282M-TR2G典型应用于需要高频率响应的场景,例如通信设备中的平衡混频器、射频功率检波器以及高速开关电路。它也常见于测试测量仪器的信号调理模块,或作为低损耗限幅器保护后续敏感电路。其双二极管对的共阴极设计,尤其简化了需要对称二极管结构的电路实现,例如倍频器或相位检测电路。
- 制造商产品型号:HSMS-282M-TR2G
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT363
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 2 对共阴极
- 电压-峰值反向(最大值):15V
- 电流-最大值:1A
- 不同Vr、F时电容:1pF @ 0V,1MHz
- 不同If、F时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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