

HSMS-2814-TR2G技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3
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HSMS-2814-TR2G技术参数详情说明:
HSMS-2814-TR2G是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管对,采用紧凑的SOT-23-3封装。该器件内部集成了两个独立的肖特基二极管,并以共阴极形式连接,这种架构使其在射频信号路径中能够实现高效的信号处理与切换。其核心优势在于极低的结电容和串联电阻,在0V偏压和1MHz测试条件下,典型结电容仅为1.2pF,而在5mA正向电流下,串联电阻低至15欧姆,这确保了其在射频范围内具有优异的频率响应和低插入损耗。
该芯片的功能特点突出表现在其射频性能上。作为一款肖特基二极管,它具备快速开关速度和低正向压降的特性,非常适合高频应用。其峰值反向电压最大值为20V,最大正向电流为1A,提供了足够的操作余量。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计成熟度与可靠性在过往应用中得到了充分验证。对于需要此类成熟射频二极管解决方案的设计,用户可以通过安华高中国代理等渠道获取库存或替代方案咨询。其宽泛的工作结温高达150°C,增强了其在严苛环境下的适应性。
在接口与参数方面,HSMS-2814-TR2G采用标准的TO-236-3(SC-59, SOT-23-3)三引脚封装,便于自动化贴装和节省PCB空间。其电气参数,特别是低至皮法级的电容和欧姆级的串联电阻,是其作为射频元件的关键指标,直接决定了在高频电路中的性能上限。这些参数共同塑造了器件在信号检波、混频、开关及限幅等电路中的核心价值。
基于其技术特性,HSMS-2814-TR2G典型的应用场景主要集中在射频与微波电路领域。它常被用于移动通信设备、无线局域网(WLAN)模块、卫星接收前端等需要高频信号处理的场合,具体功能包括但不限于平衡混频器、射频开关控制、信号检波与功率测量。其小型化封装也使其非常适合高密度集成的便携式消费电子产品和射频模块设计。
- 制造商产品型号:HSMS-2814-TR2G
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 1 对共阴极
- 电压-峰值反向(最大值):20V
- 电流-最大值:1A
- 不同Vr、F时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
- 不同If、F时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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