HSMS-281C-TR2G技术参数

HSMS-281C-TR2G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用串联配置的芯片架构。该器件基于成熟的肖特基势垒技术，其核心在于利用金属-半导体结实现快速开关与低正向压降特性。内部集成的两个二极管以串联形式连接在同一硅片上，这种集成化设计不仅优化了高频性能，减少了寄生参数，还确保了两个单元之间优异的热匹配和电特性一致性，为射频电路提供了稳定可靠的非线性元件基础。

该芯片的功能特点突出体现在其射频性能上。其极低的结电容（典型值1.2pF @ 0V, 1MHz）是其在高达数GHz频率范围内保持良好性能的关键，能有效减少对高频信号的衰减和相位失真。同时，串联配置使其能承受更高的峰值反向电压（最大20V），拓宽了其在信号电平较高的电路中的应用范围。尽管最大正向电流为1A，但其在微小信号下的动态电阻特性（典型值15欧姆 @ 5mA, 1MHz）对于混频、检波等小信号应用至关重要，直接影响转换损耗和灵敏度。其工作结温高达150°C，展现了良好的热可靠性。

在接口与参数方面，该器件采用标准的SOT-323（SC-70）三引脚封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。三个引脚分别对应两个二极管的阳极和共阴极，串联结构清晰明了，便于电路设计。其电气参数，如低电容、适中的动态电阻和20V的反向耐压，共同定义了一个适用于小功率、高频信号处理的肖特基二极管对的典型性能窗口。用户可通过安华高中国代理获取详细的技术资料与供应链支持。

基于上述特性，HSMS-281C-TR2G非常适合应用于对频率响应和信号完整性要求较高的场景。典型应用包括微波频段的低功耗平衡混频器、射频信号检波器以及高速开关电路。它也常见于通信设备、测试仪器及雷达系统的前端模块中，用于实现信号的频率转换、功率检测或脉冲整形。其小型化封装也使其成为便携式无线设备中空间受限设计的理想选择。

• 制造商产品型号：HSMS-281C-TR2G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 1 对串联
• 电压-峰值反向（最大值）：20V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：1.2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：15 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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