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HSMS-2813-TR1G技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3
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HSMS-2813-TR1G技术参数详情说明:

HSMS-2813-TR1G是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管对。该器件采用紧凑的SOT-23-3封装,内部集成了一对共阳极配置的肖特基二极管,专为高频信号处理而优化。其核心架构基于金属-半导体结原理,相较于传统的PN结二极管,具有更低的正向压降和更快的开关速度,这使其在射频和微波电路中表现出色,能够有效处理高频小信号。

该芯片的功能特点突出体现在其射频性能上。极低的结电容(典型值1.2pF @ 0V, 1MHz)是其在射频应用中的关键优势,这最大限度地减少了高频信号在通过二极管时产生的寄生效应和信号损耗,保证了电路的带宽和信号完整性。同时,在5mA正向电流下的串联电阻仅为15欧姆,这有助于降低信号路径上的插入损耗。其反向峰值电压为20V,最大正向电流为1A,提供了足够的操作余量。尽管该产品目前已处于停产状态,但在其生命周期内,它凭借稳定的性能和可靠的品质,成为了许多射频设计中的经典选择。对于仍有需求的客户,可以通过授权的安华高代理商咨询库存或替代方案。

在接口与参数方面,HSMS-2813-TR1G采用标准的三引脚SOT-23封装(也称为TO-236-3或SC-59),引脚定义清晰,便于在PCB上进行布局和焊接。其工作结温高达150°C,确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。这些电气与物理参数的结合,使其能够无缝集成到各种高频电路模块中,作为关键的非线性元件发挥作用。

该器件的典型应用场景广泛覆盖了需要高频检波、混频、采样和限幅功能的领域。例如,在通信设备的射频前端,它可用于信号强度指示(RSSI)电路中的包络检波;在测试测量仪器中,可作为高速采样保持电路的一部分;此外,在混频器或频率倍增器等电路中,其快速开关特性也能有效提升性能。其小型化封装尤其适合空间受限的便携式设备和高度集成的模块设计。

  • 制造商产品型号:HSMS-2813-TR1G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对共阳极
  • 电压-峰值反向(最大值):20V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HSMS-2813-TR1G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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