

HSMS-2862-TR1G技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3
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HSMS-2862-TR1G技术参数详情说明:
作为一款经典的射频肖特基二极管对,HSMS-2862-TR1G采用串联配置的单片集成结构,将两个高性能肖特基结集成于同一芯片上。这种设计不仅确保了器件参数的高度匹配性和温度一致性,还显著减少了传统分立元件方案所需的PCB面积和寄生效应,为高频电路设计提供了更优的集成度与可靠性。其核心架构基于成熟的半导体工艺,旨在实现极低的结电容和串联电阻,这是决定射频信号处理性能的关键因素。
该器件的功能特点突出体现在其卓越的高频特性上。在0V偏置、1MHz测试条件下,其典型结电容仅为0.3pF,这一极低的电容值使其在高达数GHz的射频范围内仍能保持优异的信号完整性,有效减少对高频信号的衰减和相位失真。同时,其内部串联的肖特基结具备快速开关特性,非常适合用于高频检波、混频和低功耗开关应用。其峰值反向电压为4V,适用于低电压工作环境,而高达150°C的结温(TJ)则保证了其在宽温范围内的稳定工作能力。
在接口与参数方面,HSMS-2862-TR1G采用标准的SOT-23-3表面贴装封装(亦称TO-236-3或SC-59),这种小型化封装便于自动化生产并满足现代电子设备对空间紧凑性的要求。其电气参数,特别是极低的结电容和优化的串联结构,使其在VHF至微波频段的阻抗匹配网络中表现优异。用户在选择时,可通过正规的安华高代理渠道获取原厂技术资料与支持,以确保设计方案的准确性。需要注意的是,该器件目前处于停产状态,在新设计中需评估替代方案或库存供应。
基于其技术特性,该芯片广泛应用于对高频性能有苛刻要求的场景。典型应用包括移动通信设备、卫星接收模块、无线局域网(WLAN)设备中的射频信号检波与功率监测电路。其低电容特性也使其非常适合用于高频采样保持电路、脉冲整形以及低损耗射频开关设计。在测试与测量仪器领域,如频谱分析仪和标量网络分析仪的前端,它常被用作灵敏度的检波元件,其快速响应和良好的温度稳定性是保障测量精度的基础。
- 制造商产品型号:HSMS-2862-TR1G
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
- 电压-峰值反向(最大值):4V
- 电流-最大值:-
- 不同Vr、F时电容:0.3pF @ 0V,1MHz
- 不同If、F时电阻:-
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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