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HSMP-3862-TR2G技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 技术参数:RF DIODE PIN 50V SOT23-3
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HSMP-3862-TR2G技术参数详情说明:

HSMP-3862-TR2G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管,采用串联对管结构,封装于紧凑的SOT-23-3(TO-236-3)塑料封装内。该器件在射频信号路径中主要作为电压控制的可变电阻或开关元件使用,其核心在于由P型、本征(I)型和N型半导体材料构成的PIN结。在零偏或反偏状态下,本征层呈现高阻抗和极低的结电容,允许射频信号高效通过;当施加正向偏置时,载流子注入本征层,使其导电性增强,表现为一个低值电阻,从而实现对射频信号的衰减或路径切换。

该二极管的一个突出特性是其极低的结电容,在50V反向偏压和1MHz测试条件下典型值仅为0.2pF。这一特性使其在高达数GHz的高频范围内仍能保持优异的隔离度和低插入损耗,非常适合高频应用。同时,在100mA正向电流和100MHz条件下,其串联电阻低至1.5欧姆,确保了在“导通”状态下具有较低的信号衰减。器件可承受高达50V的峰值反向电压和1A的最大电流,结合150°C的最高结温,提供了可靠的鲁棒性。对于需要获取此型号进行设计验证或备料的工程师,可以通过授权的AVAGO代理商查询库存与技术支持。

在接口与参数方面,HSMP-3862-TR2G采用标准的三引脚SOT-23封装,两个二极管以串联形式集成于单一芯片,简化了外部布线,有利于节省PCB空间并提升高频性能的一致性。其宽泛的工作电压和电流范围,加上出色的高频参数,使其能够灵活配置于各种偏置电路中。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和稳定的性能使其在众多现有设备和系统中仍有应用需求。

该器件典型的应用场景包括移动通信基站、微波无线电链路以及测试测量设备中的射频开关和衰减器电路。例如,在蜂窝基站的前端模块中,可用于天线调谐或收发路径切换;在矢量网络分析仪中,可作为可编程衰减器的核心元件。其小尺寸和卓越的高频性能也使其适用于对空间和信号完整性要求苛刻的紧凑型射频模块设计。

  • 制造商产品型号:HSMP-3862-TR2G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE PIN 50V SOT23-3
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对串联
  • 电压-峰值反向(最大值):50V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:0.2pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HSMP-3862-TR2G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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