HCNW135技术参数

作为一款高性能的光电耦合器，HCNW135采用了经典的单通道光隔离架构。其内部核心由一个高效率的砷化镓铝红外发光二极管（LED）与一个集成了基极引脚的硅光电晶体管探测器构成，两者通过高透明度的绝缘材料进行光学耦合，实现了输入与输出侧之间完整的电气隔离。这种设计确保了信号能够以光为媒介进行可靠传输，同时彻底阻断两侧电路之间的直流电位和噪声干扰。

该器件提供了高达5000Vrms的卓越隔离电压，使其能够在高压差环境下安全稳定地工作。其电流传输比（CTR）在16mA输入电流条件下最小值为5%，配合典型值仅为2s的快速开关时间，保证了信号传输的及时性与有效性。输入侧采用直流驱动，典型正向压降为1.68V，最大正向电流为25mA；输出侧为带基极引脚的光电晶体管结构，最大输出电压为20V，输出电流能力为8mA，这种设计为用户提供了额外的偏置控制灵活性，有助于优化开关速度或饱和深度。

在接口与参数方面，HCNW135采用标准的8引脚双列直插封装（8-DIP），便于通孔安装，其宽泛的工作温度范围覆盖-55°C至85°C，确保了在工业级严苛环境下的可靠性。这些特性使其成为需要高电压隔离和数字信号传输应用的理想选择。对于需要可靠供应链支持的开发项目，选择一家资深的安华高芯片代理至关重要，以确保获得正品元器件和全面的技术支持。

基于其强大的电气隔离能力和稳定的性能，该芯片广泛应用于工业自动化控制系统中的PLC数字I/O模块、电机驱动电路的反馈隔离、开关电源的反馈环路以及各类需要高压安全隔离的通信接口中。其坚固的设计和宽温特性也使其适用于电力设备、医疗仪器和交通运输等对可靠性和安全性要求极高的领域。

• 制造商产品型号：HCNW135
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP
• 系列：-
• 通道数：1
• 电压 - 隔离：5000Vrms
• 电流传输比（最小值）：5% @ 16mA
• 电流传输比（最大值）：-
• 打开 / 关闭时间（典型值）：2s， 2s （最小值）
• 上升/下降时间（典型值）：-
• 输入类型：DC
• 输出类型：有基极的晶体管
• 电压 - 输出（最大值）：20V
• 电流 - 输出/通道：8mA
• 电压 - 正向 (Vf)（典型值）：1.68V
• 电流 - DC 正向 (If)：25mA
• Vce 饱和值（最大值）：-
• 工作温度：-55°C ~ 85°C
• 安装类型：通孔
• 产品封装：8-DIP（0.400"，10.16mm）
• 供应商器件封装：8-DIP
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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