HBAT-5400-TR2G技术参数

HBAT-5400-TR2G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管。该器件采用紧凑的SOT-23-3封装，其核心架构基于金属-半导体结原理，实现了极低的正向压降和快速的开关特性，使其在射频及高速开关电路中表现出色。其内部为单路肖特基二极管结构，通过优化的半导体材料和结工艺，在保证电气性能的同时，将寄生参数降至最低。

该二极管具备30V的最大反向峰值电压和220mA的最大正向连续电流能力，能够在高频环境下稳定工作。其250mW的最大功耗设计平衡了功率处理能力与小型化需求。一个关键特性是其高达150°C的结温（TJ）工作范围，这显著提升了器件在高温环境下的可靠性和长期稳定性，使其能够适应更为严苛的应用条件。其紧凑的TO-236-3（SC-59， SOT-23-3）封装非常适合高密度PCB布局。

在接口与参数方面，该器件作为基础的无源元件，其两个阳极和阴极引脚定义清晰，便于电路设计。虽然其具体的电容和电阻参数未在基础规格中详细列出，但作为肖特基二极管，其固有的低结电容特性使其在VHF乃至更高频段仍能保持良好性能。用户可通过安华高中国代理获取更详细的技术资料和支持。

鉴于其高频特性与小型化封装，HBAT-5400-TR2G典型应用于射频信号检波、混频器、高速开关电路、极性保护以及DC-DC转换器中的续流二极管等场景。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计中，它仍然是实现高效能、低成本射频功能的关键元件选择之一。

• 制造商产品型号：HBAT-5400-TR2G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：DIODE SCHOTTKY 30V 250MW SOT23-3
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 单
• 电压-峰值反向（最大值）：30V
• 电流-最大值：220mA
• 不同Vr、F时电容：-
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：250mW
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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