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1N5712#T25技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:RF二极管,原厂封装
  • 技术参数:DIODE SCHOTTKY SINGLE 20V AXIAL
  • 专注销售安华高电子元器件,承诺原装!现货当天发货!
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1N5712#T25技术参数详情说明:

1N5712#T25是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)生产的单肖特基势垒二极管。该器件采用经典的金属-半导体结架构,利用肖特基势垒原理实现整流功能,其核心在于金属与N型半导体材料接触形成的整流结。与传统PN结二极管相比,这种结构显著降低了正向导通压降,并具备极快的开关速度,这得益于其以多数载流子(电子)导电为主的工作机制,基本消除了少数载流子存储与复合带来的延迟。

该二极管的关键特性在于其卓越的高频性能与低功耗表现。在0V偏压和1MHz测试频率下,其结电容典型值仅为1.2pF,这一极低的电容值使其对电路的高频特性影响微乎其微,非常适合射频信号处理和高频开关应用。同时,其最大正向整流电流为35mA最大反向峰值电压为20V,能够满足中小信号处理电路的电压与电流需求。其最大功耗为250mW,体现了高效的能量转换效率。对于需要可靠供应链的客户,可以通过专业的安华高芯片代理获取原装正品和技术支持。

在电气参数方面,该器件在低正向电压下即可实现导通,有效降低了信号损耗和系统功耗。其采用标准的DO-204AH(DO-35)轴向玻璃封装,这种封装形式具有良好的密封性和环境稳定性,便于在通孔安装(THT)的PCB板上进行布局和焊接,广泛应用于需要高可靠性的传统或模块化设计中。

基于其低电容、快速开关和低正向压降的特点,1N5712#T25非常适合应用于高频检波、射频混频、高速开关电路以及仪器仪表中的信号采样保持电路。它也常被用于低压、高效率的电源整流环节,或作为数字电路中的钳位二极管,保护敏感器件免受电压瞬变冲击。在通信设备、测试测量仪器及各类消费电子产品的射频前端与信号调理模块中,都能发现其身影。

  • 制造商产品型号:1N5712#T25
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:DIODE SCHOTTKY SINGLE 20V AXIAL
  • 系列:-
  • 二极管类型:肖特基 - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):20V
  • 电流 - 最大值:35mA
  • 不同 Vr、F 时的电容:1.2pF @ 0V,1MHz
  • 不同 If、F 时的电阻:-
  • 功率耗散(最大值):250mW
  • 产品封装:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:-
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供1N5712#T25现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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