

MGA-655T6-TR2G技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:RF放大器,6-UTSLP
- 技术参数:IC RF AMP LNA GAAS MMIC 6-UTP
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MGA-655T6-TR2G技术参数详情说明:
安华高科技(现隶属于Broadcom博通)推出的MGA-655T6-TR2G是一款基于GaAs(砷化镓)工艺的MMIC(单片微波集成电路)低噪声放大器(LNA)。该器件采用先进的半导体架构,在单芯片上集成了优化的输入输出匹配网络和偏置电路,确保了在2.5GHz至4GHz频段内卓越且稳定的射频性能。其核心设计旨在提供极低的噪声系数,同时保持高增益和良好的线性度,这对于接收链路前端提升整体系统灵敏度至关重要。
该芯片在3.5GHz典型测试频率下,能提供高达14.7dB的增益,而噪声系数低至1.17dB,这一组合使其在同类产品中具有显著优势。其输出1dB压缩点(P1dB)为12dBm,意味着在保证信号不失真的前提下,能够处理相对较高的输入功率,展现了良好的线性度与动态范围。工作电压为3V,静态电流仅为10mA,功耗控制出色,非常适合对功耗敏感的便携式或电池供电设备。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的安华高一级代理进行采购与咨询。
在接口与封装方面,MGA-655T6-TR2G采用紧凑的6引脚UTSLP封装(也称为6-XFDFN裸露焊盘),尺寸仅为2.0mm x 1.3mm。这种微型封装不仅节省了宝贵的PCB空间,其底部的裸露焊盘还提供了优异的热性能和接地通路,有助于提升射频性能的稳定性并简化电路板布局设计。其宽泛的“通用”RF类型定位,使其接口设计具备良好的灵活性,易于集成到各种射频前端模块中。
凭借其覆盖2.5GHz至4GHz的宽频带特性、优异的噪声与增益性能以及低功耗设计,这款LNA非常适合应用于对接收机性能要求苛刻的领域。其主要应用场景包括4G/5G蜂窝基础设施的接收链路、点对点及点对多点无线通信系统、卫星通信终端、以及各类测试与测量设备的前端信号调理。它为系统设计师提供了一个高性能、高集成度的解决方案,有效简化了射频前端设计复杂度并提升了整体系统指标。
- 制造商产品型号:MGA-655T6-TR2G
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:IC RF AMP LNA GAAS MMIC 6-UTP
- 系列:-
- 频率:2.5GHz ~ 4GHz
- P1dB:12dBm(15.8mW)
- 增益:14.7dB
- 噪声系数:1.17dB
- RF 类型:通用
- 电压 - 电源:3V
- 电流 - 电源:10mA
- 测试频率:3.5GHz
- 产品封装:6-XFDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:6-UTSLP(2x1.3)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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