

MGA-655T6-TR1G技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:RF放大器,6-UTSLP
- 技术参数:IC RF AMP LNA GAAS MMIC 6-UTP
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MGA-655T6-TR1G技术参数详情说明:
作为一款工作在2.5GHz至4GHz频段的GaAs MMIC低噪声放大器,MGA-655T6-TR1G采用了先进的砷化镓工艺技术,其核心架构旨在实现卓越的射频性能与高集成度的平衡。该器件内部集成了优化的匹配网络,能够有效简化外部电路设计,同时确保在宽频带内保持稳定的工作特性。其微型化的6-UTSLP封装不仅节省了宝贵的PCB空间,也通过裸露焊盘设计优化了散热路径,提升了在紧凑型设备中的可靠性。
该芯片的核心优势在于其出色的噪声性能与增益表现。在3.5GHz的典型测试频率下,其噪声系数低至1.17dB,这对于接收链路前端至关重要,能够显著提升系统的整体接收灵敏度。同时,它提供了高达14.7dB的增益,有效放大微弱信号。其输出1dB压缩点(P1dB)为12dBm,确保了在一定的输入信号动态范围内具有良好的线性度,这对于处理调制信号或存在干扰的环境尤为重要。
在接口与电气参数方面,MGA-655T6-TR1G设计简洁高效,仅需单3V电源供电,典型工作电流为10mA,功耗控制出色,非常适合电池供电的便携式设备。其“通用”的RF类型定位意味着它在设计上具有良好的适应性,工程师可以通过安华高芯片代理获取详细的设计支持与参考电路,以快速将其集成到各类射频系统中。紧凑的6引脚UTSLP封装(尺寸2x1.3mm)符合现代电子产品小型化的趋势。
凭借其覆盖2.5GHz至4GHz的宽频带特性,该放大器非常适合应用于对噪声和尺寸有严格要求的无线通信系统。典型应用场景包括WiMAX、固定无线接入、卫星通信终端以及点对点射频链路的接收机前端。其低噪声、高增益和低功耗的组合,使其成为提升接收机性能、延长便携设备续航时间的理想选择,尤其适合集成在空间受限的模块化产品中。
- 制造商产品型号:MGA-655T6-TR1G
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:IC RF AMP LNA GAAS MMIC 6-UTP
- 系列:-
- 频率:2.5GHz ~ 4GHz
- P1dB:12dBm(15.8mW)
- 增益:14.7dB
- 噪声系数:1.17dB
- RF 类型:通用
- 电压 - 电源:3V
- 电流 - 电源:10mA
- 测试频率:3.5GHz
- 产品封装:6-XFDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:6-UTSLP(2x1.3)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供MGA-655T6-TR1G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
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