

MGA-425P8-TR2技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:RF放大器,8-LPCC
- 技术参数:IC PWR AMP PHEMT GAAS ENH 8-PLCC
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MGA-425P8-TR2技术参数详情说明:
MGA-425P8-TR2是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的GaAs PHEMT功率放大器芯片,采用8引脚LPCC封装。该器件基于成熟的赝配高电子迁移率晶体管技术,其核心架构旨在为2GHz至10GHz的宽频带范围提供高线性度的功率放大能力。这种架构通过优化有源区的材料生长和器件结构,实现了出色的电子迁移率和载流子浓度控制,从而在宽频带内维持稳定的增益和功率输出特性,同时有效抑制了高频下的寄生效应和热耗散问题。
该芯片的功能特点突出体现在其卓越的宽频带性能与高效率的平衡上。在5.25GHz的典型测试频率下,其1dB压缩点输出功率可达20.3dBm(约107mW),为系统提供了充足的功率余量。同时,高达17.5dB的增益显著降低了前级驱动电路的设计复杂度。尤为关键的是,其噪声系数低至1.7dB,这在功率放大器中是极为优异的指标,意味着它在放大信号的同时,对系统整体噪声的贡献极小,有助于提升接收链路的灵敏度。其接口设计简洁,采用单3.3V电源供电,工作电流典型值为51mA至65mA,功耗控制出色,非常适合便携式和电池供电设备。紧凑的8-DFN裸露焊盘封装不仅提供了良好的散热路径,也利于高密度PCB布局。
在应用场景方面,AVAGO代理商通常将其推荐用于对线性度和效率有严格要求的无线通信系统。其标明的RF类型指向ISM频段及802.11a/WiFi应用,使其成为5GHz频段无线局域网接入点、客户端设备、回程链路以及点对点射频单元的优选前端放大器。此外,其覆盖2GHz至10GHz的宽频特性也使其能够适配于其他微波频段的通信、测试测量及雷达模块。工程师在选用此芯片时,可充分利用其高增益、高线性输出和低噪声的复合优势,简化射频前端设计,提升整个无线链路的动态范围和通信质量。
- 制造商产品型号:MGA-425P8-TR2
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:IC PWR AMP PHEMT GAAS ENH 8-PLCC
- 系列:-
- 频率:2GHz ~ 10GHz
- P1dB:18.25dBm(66.8mW)~ 20.3dBm(107.2mW)
- 增益:14.5dB ~ 17.5dB
- 噪声系数:1.7dB
- RF 类型:ISM, 802.11a/WiFi
- 电压 - 电源:3.3V
- 电流 - 电源:51mA ~ 65mA
- 测试频率:5.25GHz
- 产品封装:8-DFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:8-LPCC(2x2)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供MGA-425P8-TR2现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
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