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MGA-425P8-TR1技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:RF放大器,8-LPCC
  • 技术参数:IC PWR AMP PHEMT GAAS ENH 8-PLCC
  • 专注销售安华高电子元器件,承诺原装!现货当天发货!
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MGA-425P8-TR1技术参数详情说明:

MGA-425P8-TR1是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的GaAs(砷化镓)PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)工艺功率放大器芯片。该器件采用紧凑的8引脚DFN封装,并带有裸露焊盘以优化热性能,其核心架构旨在为2GHz至10GHz的宽频带射频信号提供高效、稳定的放大功能。其设计基于先进的半导体材料与工艺,确保了在微波频段内优异的线性度与功率处理能力,是构建高性能射频前端的理想选择。

该芯片在5.25GHz典型测试频率下,展现出卓越的性能指标。其功率输出能力突出,1dB压缩点(P1dB)可达18.25dBm至20.3dBm,这意味着在保证良好线性度的前提下,能够提供高达107.2mW的射频功率。同时,它具备14.5dB至17.5dB的高增益,能够有效提升链路预算。尤为关键的是,其噪声系数低至1.7dB,这一特性对于接收通道或需要高信噪比的应用至关重要,因为它能最大限度地减少放大器自身引入的信号劣化。芯片采用单电源3.3V供电,工作电流范围为51mA至65mA,实现了性能与功耗的良好平衡,适合便携式或对功耗敏感的设备。

在接口与参数方面,MGA-425P8-TR1的封装形式为8-LPCC(2mm x 2mm),体积小巧,便于高密度PCB布局。其工作频率覆盖了包括5GHz ISM频段及802.11a/WiFi在内的多个重要无线通信频段,展现了出色的频带适应性。稳定的3.3V供电电压使其能够轻松集成到现代低电压数字系统中。对于需要可靠供应链支持的开发项目,可以通过专业的AVAGO代理商获取该器件及其完整的技术支持。

基于其宽频带、高线性度输出和低噪声特性,该放大器芯片非常适合应用于多种无线基础设施和终端设备。主要应用场景包括5GHz频段的无线局域网接入点与客户端设备、点对点无线通信链路、小型蜂窝基站以及各类测试测量仪器中的射频信号链。它能够有效提升系统的覆盖范围与通信质量,是满足现代高性能无线通信系统苛刻要求的核心射频组件之一。

  • 制造商产品型号:MGA-425P8-TR1
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:IC PWR AMP PHEMT GAAS ENH 8-PLCC
  • 系列:-
  • 频率:2GHz ~ 10GHz
  • P1dB:18.25dBm(66.8mW)~ 20.3dBm(107.2mW)
  • 增益:14.5dB ~ 17.5dB
  • 噪声系数:1.7dB
  • RF 类型:ISM, 802.11a/WiFi
  • 电压 - 电源:3.3V
  • 电流 - 电源:51mA ~ 65mA
  • 测试频率:5.25GHz
  • 产品封装:8-DFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:8-LPCC(2x2)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供MGA-425P8-TR1现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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