HSSR-7111#200技术参数

在工业控制、电力电子及需要高电压隔离的系统中，HSSR-7111#200是一款基于光耦隔离技术的功率MOSFET驱动器，其核心架构集成了一个高效率的GaAlAs红外发光二极管（LED）与一个高速、高耐压的光电探测器及功率输出级。这种光隔离架构从根本上实现了输入控制电路与输出功率驱动电路之间的电气隔离，其隔离电压高达1500VDC，为系统提供了可靠的电气屏障，有效防止高压侧噪声、浪涌或故障对低压控制侧的干扰与损坏，确保了信号传输的纯净性与系统运行的安全性。

该器件具备多项突出的功能特性。其输出级集成了一个功率MOSFET，能够提供高达1.6A的连续输出电流，具备强大的直接驱动能力，可以轻松驱动中小功率的MOSFET、IGBT栅极或继电器线圈等感性或容性负载，简化了外围驱动电路的设计。在动态性能方面，其传播延迟具有不对称性，关断延迟（tpHL）典型值极快，而开通延迟（tpLH）相对较慢，这种特性使其在需要快速关断保护的应用中尤为有利。器件支持直流输入控制，正向电压（Vf）典型值仅为1.24V，在最大20mA正向电流下即可可靠工作，与常见的微控制器GPIO口或逻辑电路具有良好的兼容性。

在接口与参数设计上，HSSR-7111#200采用标准的8引脚双列直插（8-DIP）封装，便于通孔安装和焊接，封装间距为7.62mm，提供了充足的爬电距离以满足高隔离电压要求。其工作温度范围极宽，覆盖-55°C至125°C，确保了在严苛的工业与军工环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的安华高中国代理获取正品器件及相关设计资源。

基于其高隔离、强驱动的特点，该芯片广泛应用于电机驱动、不间断电源（UPS）、工业变频器、开关电源中的隔离驱动、以及光伏逆变器和电池管理系统等场景。它特别适用于需要将低压控制信号安全、有效地传递至高压功率回路，并直接驱动开关器件的场合，是构建安全、紧凑、高效功率驱动系统的关键元件之一。

• 制造商产品型号：HSSR-7111#200
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：OPTOISO 1.5KV POWER MOSFET 8DIP
• 系列：特殊用途隔离器
• 零件状态：有源
• 类型：功率 MOSFET
• 通道数：1
• 电压-隔离：1500VDC
• 共模瞬变抗扰度（最小值）：-
• 输入类型：DC
• 电流-输出/通道：1.6A
• 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）：6ms，0.25ms
• 上升/下降时间（典型值）：-
• 电压-正向(Vf)（典型值）：1.24V
• 电流-DC正向(If)（最大值）：20mA
• 电压-供电：-
• 工作温度：-55°C ~ 125°C
• 安装类型：通孔
• 封装：8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装：8-DIP
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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