

HSMS-8202-BLKG技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23
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HSMS-8202-BLKG技术参数详情说明:
在射频信号处理领域,HSMS-8202-BLKG是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)推出的高性能肖特基二极管对。其核心架构采用了一对串联的肖特基势垒二极管,这种设计在单个紧凑的封装内实现了平衡的射频特性,特别适用于需要对称信号处理的电路。该器件在零偏压条件下表现出极低的结电容,仅为0.26pF @ 0V, 1MHz,这使其在高频应用中能够最大限度地减少信号损耗和相位失真,保持信号的完整性。
该芯片的功能特点突出其在高频环境下的稳定性和高效性。极低的串联电阻(14欧姆 @ 5mA, 1MHz)确保了在微小信号电平下仍能保持良好的导通特性,这对于射频检波、混频和低功耗开关电路至关重要。其最大反向峰值电压为4V,功率耗散为75mW,结合高达150°C的结温工作能力,赋予了器件在严苛环境下的可靠运行基础。尽管该型号目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的性能使其在特定存量应用和设计中仍具参考价值,用户可通过可靠的安华高一级代理渠道获取库存或替代方案咨询。
在接口与参数方面,HSMS-8202-BLKG采用了标准的TO-236-3(SC-59, SOT-23-3)表面贴装封装,这种小型化封装便于集成到高密度的PCB布局中,满足现代电子设备对空间节约的要求。其电气参数,如低电容和低串联电阻的组合,直接定义了它在射频链路中的性能边界,使其能够在高达数GHz的频率范围内有效工作。
就其应用场景而言,这款肖特基二极管对典型应用于需要高频率响应和低损耗的场合。例如,在通信设备的射频前端,它可用于精确的功率检波和信号电平监测;在测试与测量仪器中,适用于高速采样和混频器电路;此外,在低功耗无线收发模块中,也能作为高效的射频开关或限幅器使用。其平衡的二极管对结构尤其适合用于双平衡混频器和相位检测电路,这些电路对器件的对称性和一致性有较高要求。
- 制造商产品型号:HSMS-8202-BLKG
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
- 电压-峰值反向(最大值):4V
- 电流-最大值:-
- 不同Vr、F时电容:0.26pF @ 0V,1MHz
- 不同If、F时电阻:14 欧姆 @ 5mA,1MHz
- 功率耗散(最大值):75mW
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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