HSMS-286Y-BLKG技术参数

HSMS-286Y-BLKG是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基二极管，专为高频射频应用而优化。该器件采用先进的半导体工艺，其核心架构基于金属-半导体结原理，通过精心设计的结结构和封装，实现了在超高频段极低的寄生参数，这对于维持射频信号的完整性和降低插入损耗至关重要。

该二极管的核心特性在于其卓越的高频性能。在0V偏压、1MHz测试条件下，其结电容典型值仅为0.3pF，这一极低的电容值使其能够广泛应用于GHz级别的射频电路中，对信号路径的影响微乎其微。同时，其峰值反向电压为4V，适用于低电压摆幅的射频信号处理环境。器件采用紧凑的SC-79（SOD-523）封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了高频下的引线电感，确保了从芯片到电路板之间良好的阻抗连续性。

在接口与参数方面，HSMS-286Y-BLKG作为单肖特基二极管，其电气接口简洁。其最高结温（Tj）可达150°C，提供了较宽的工作温度范围，增强了在复杂环境下的可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计代表了特定时期射频肖特基二极管的性能标杆，在存量设备维护或特定设计参考中仍有其价值。工程师在为新项目选型时，可以通过专业的安华高代理商获取替代产品建议或库存信息。

该器件典型的应用场景包括微波混频器、射频检波器、低功耗开关以及频率倍增器等电路。在混频器设计中，其低结电容和快速开关特性有助于实现高隔离度和低转换损耗；在信号检波应用中，其肖特基结的低开启电压特性能够有效检测微弱的射频信号。因此，HSMS-286Y-BLKG及其同系列产品常见于对频率响应和信号灵敏度有苛刻要求的通信设备、测试仪器及雷达模块的前端电路中。

• 制造商产品型号：HSMS-286Y-BLKG
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 4V SOD323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 单
• 电压-峰值反向（最大值）：4V
• 电流-最大值：-
• 不同Vr、F时电容：0.3pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-79，SOD-523
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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