HSMS-286R-TR1G技术参数

HSMS-286R-TR1G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装射频肖特基二极管，采用紧凑的6引脚SOT-363（SC-88）封装。其核心架构由两对串联的肖特基结构成，这种设计在射频信号路径中提供了优异的匹配特性，同时有助于提升电路的电压处理能力和稳定性。该器件专为高频应用优化，其内部结构旨在最小化寄生参数，确保在微波频段下仍能保持卓越的电气性能。

该芯片的关键功能特性体现在其极低的结电容和快速开关响应上。在零偏压（0V）、1MHz的测试条件下，其典型结电容值仅为0.25pF，这一特性使其在高达数GHz的高频电路中引入的损耗和信号失真极低，非常适合用于需要高信号完整性的场合。其峰值反向电压（VRWM）为4V，足以满足多数低电压射频系统的保护需求。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定存量应用和设计中仍具参考价值。对于需要此类高性能射频二极管的客户，可以通过专业的安华高中国代理渠道咨询库存或替代方案。

在接口与参数方面，HSMS-286R-TR1G采用标准的SOT-363封装，便于自动化贴装，适合高密度PCB布局。其工作结温（TJ）高达150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。低电容与串联结构相结合，使其在平衡混频器、倍频器以及高速开关电路中表现出色，能够有效处理微弱的射频信号，同时保持良好的线性度。

该器件的典型应用场景主要集中在高频信号处理领域。它常被用于微波检波、低功耗混频、射频开关以及信号采样等关键电路模块中。例如，在便携式通信设备、卫星接收前端、测试测量仪器的高频探头等对尺寸和性能有双重要求的应用中，HSMS-286R-TR1G凭借其微型封装和优异的射频特性，曾是工程师实现高性能、小型化设计的优选元件之一。

• 制造商产品型号：HSMS-286R-TR1G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT363
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 2 对串联
• 电压-峰值反向（最大值）：4V
• 电流-最大值：-
• 不同Vr、F时电容：0.25pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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