HSMS-286P-TR2G技术参数

HSMS-286P-TR2G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用紧凑的6引脚SOT-363（SC-88）封装。该器件集成了两对串联配置的肖特基势垒二极管，其核心架构旨在优化射频信号路径，通过串联结构有效分担反向电压，提升了在低电压工作环境下的可靠性。其金属-半导体结特性实现了极快的开关速度与低正向压降，这对于处理高频小信号至关重要。

该芯片的功能特点突出表现在其射频性能上。极低的结电容（典型值0.25pF @ 0V， 1MHz）是其关键优势，这最大限度地减少了在高频应用中对信号路径的加载效应和信号损耗，保证了良好的信号完整性。其峰值反向电压为4V，适用于低电压偏置或信号处理电路。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计规格依然体现了在特定频段内对高性能的追求，用户在选型时可通过安华高代理渠道咨询库存或替代方案。

在接口与参数方面，SOT-363封装提供了优异的PCB空间利用率，适合高密度组装。其工作结温高达150°C，确保了在宽温度范围内的稳定运行。电气参数聚焦于射频特性，低电容与肖特基二极管固有的低开启电压相结合，使其在微弱信号检测与处理中表现出色。这些参数共同定义了其在GHz频率范围内的适用边界。

基于上述特性，HSMS-286P-TR2G典型的应用场景包括微波混频器、射频检波器、低功耗倍频器以及高速开关电路。它常见于需要高频、高效率信号处理的设备中，例如无线通信模块、卫星接收前端、测试测量仪器及雷达传感系统。其设计满足了早期及部分现有对尺寸、速度和损耗有严苛要求的射频电路设计需求。

• 制造商产品型号：HSMS-286P-TR2G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT363
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 2 对串联
• 电压-峰值反向（最大值）：4V
• 电流-最大值：-
• 不同Vr、F时电容：0.25pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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