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HSMS-286K-TR2G技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT363
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HSMS-286K-TR2G技术参数详情说明:

HSMS-286K-TR2G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管对,采用紧凑的SOT-363(SC-88)封装。该器件内部集成了两个相互隔离的肖特基二极管,这种隔离式设计有效减少了两个二极管之间的寄生耦合,使其在射频电路中能够独立、稳定地工作,尤其适用于需要高隔离度的平衡混频器、检波器或开关电路。

该芯片的核心优势在于其极低的结电容和快速开关特性。在零偏压(0V)、1MHz的测试条件下,其典型结电容仅为0.25pF,这一特性使其在高达数GHz的高频应用中仍能保持优异的信号完整性,最大限度地减少对射频信号的衰减和相位失真。同时,其峰值反向电压为4V,足以满足多数低电压射频信号处理场景的需求。其工作结温高达150°C,确保了在高温环境或高功率密度设计中的可靠性与长期稳定性。

在接口与参数方面,该器件采用标准的6引脚TSSOP封装,便于自动化贴装并节省宝贵的PCB空间。其电气参数针对射频应用进行了优化,低电容特性直接转化为更宽的工作带宽和更高的截止频率。对于需要可靠供应链与技术支持的设计项目,可以通过专业的安华高中国代理获取该产品的详细规格、应用笔记以及设计支持。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的性能使其在现有系统维护和特定设计中仍具参考价值。

HSMS-286K-TR2G典型应用于无线通信设备、微波检波与混频电路、仪器仪表以及高频开关电路中。例如,在手机、Wi-Fi模块的射频前端,它可用于信号检波或低损耗开关;在测试测量设备中,其快速响应和低失真特性适合用于峰值检波或对数放大电路。其小型化封装也使其非常适合空间受限的便携式和高密度集成设备。

  • 制造商产品型号:HSMS-286K-TR2G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT363
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对隔离式
  • 电压-峰值反向(最大值):4V
  • 电流-最大值:-
  • 不同Vr、F时电容:0.25pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HSMS-286K-TR2G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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