HSMS-286K-BLKG技术参数

作为一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频肖特基二极管，HSMS-286K-BLKG采用了先进的隔离式双二极管对架构。该架构将两个独立的肖特基结集成于同一芯片，并通过内部隔离设计有效降低了结间寄生电容和信号串扰，为高频信号处理提供了优异的电气隔离性能。其核心优势在于极低的结电容与串联电阻，这直接决定了器件在高频下的响应速度与信号完整性。

该器件在0V偏压、1MHz测试条件下的典型结电容仅为0.25pF，这一特性使其在射频前端电路中能够实现极低的信号损耗与出色的高频通过性。其峰值反向电压为4V，适用于低电压摆幅的射频信号环境。同时，高达150°C的结温（TJ）使其能够在较为严苛的温度条件下保持稳定的工作性能，提升了系统的可靠性。对于需要稳定供应链支持的客户，可以通过专业的安华高芯片代理渠道获取相关产品信息与技术支持。

HSMS-286K-BLKG采用紧凑的6引脚SOT-363（SC-88）封装，这种微型封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了高频下的寄生参数。其接口设计便于在平衡混频器、检波器及高频开关等电路中实现对称布局，从而简化电路设计并提升整体性能的一致性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能指标，使其在特定存量项目或对经典方案有需求的场合中仍具参考价值。

在应用层面，凭借其低电容、高隔离度的特点，该芯片非常适合用于C波段及更高频率的混频、检波与信号采样电路。常见应用场景包括便携式通信设备、卫星接收模块、测试仪器中的射频检波单元以及需要高速开关的射频信号路径控制。其微型封装也使其成为对空间有严格限制的紧凑型射频模组的理想选择。

• 制造商产品型号：HSMS-286K-BLKG
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT363
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 1 对隔离式
• 电压-峰值反向（最大值）：4V
• 电流-最大值：-
• 不同Vr、F时电容：0.25pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴，我们长期提供HSMS-286K-BLKG现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。