HSMS-286E-TR2G技术参数

HSMS-286E-TR2G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管对，采用紧凑的SOT-323（SC-70）封装。该器件内部集成了一对共阳极配置的肖特基二极管，这种架构特别适用于需要信号平衡处理或高频整流的射频电路设计。其核心优势在于极低的结电容和快速开关特性，在0V偏压、1MHz测试条件下，结电容典型值仅为0.25pF，这使其在高频信号路径中引入的损耗和相位失真降至最低，确保了信号完整性。

该二极管对具备4V的峰值反向电压，适用于低电压摆幅的射频信号环境。其肖特基结构提供了极低的正向压降和优异的反向恢复时间，这对于高频检波、混频以及低功耗射频能量收集等应用至关重要。器件采用微型封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了高频下的寄生参数。其工作结温高达150°C，提供了在宽温度范围内稳定工作的可靠性保障。用户通过安华高代理可以获得原厂技术支持与供货渠道。

在接口与参数层面，HSMS-286E-TR2G的电气特性使其成为射频前端设计的理想选择。极低的结电容意味着在高达数GHz的频率下仍能保持优异的性能，而共阳极的引脚配置简化了平衡混频器、相位检测器等电路的布局布线。虽然该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能，使其在特定存量项目或对性能有明确要求的应用中仍具参考价值。

典型的应用场景包括C波段及更高频段的低功耗检波器、微波混频器的平衡二极管对、射频识别（RFID）读写器的信号解调模块，以及需要超低电容开关功能的精密测试设备。其微型化封装也使其非常适合集成到高度模块化、对空间有严格限制的便携式无线设备中，是实现高性能、小型化射频子系统的一个经典元件选择。

• 制造商产品型号：HSMS-286E-TR2G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 1 对共阳极
• 电压-峰值反向（最大值）：4V
• 电流-最大值：-
• 不同Vr、F时电容：0.25pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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