HSMS-286E-BLKG技术参数

在射频信号处理领域，HSMS-286E-BLKG是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的肖特基势垒二极管对。该器件采用紧凑的SC-70（SOT-323）封装，其核心架构为一对共阳极连接的肖特基二极管，这种集成化设计为高频电路提供了对称且匹配良好的非线性元件，简化了PCB布局并提升了电路的一致性。

该芯片的功能特点突出体现在其高频性能上。在0V偏压和1MHz测试条件下，其结电容典型值低至0.25pF，这一特性对于维持高频信号的完整性至关重要，能有效减少信号路径上的寄生电容影响，确保在混频、检波等应用中的带宽和响应速度。其峰值反向电压为4V，适用于低电压摆幅的射频环境。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在特定存量项目和设计中仍具参考价值，用户可通过可靠的安华高芯片代理渠道获取库存或替代方案咨询。

从接口与参数来看，其高达150°C的结温（TJ）工作范围赋予了它良好的热稳定性，能够在较为严苛的环境下保持性能。SOT-323的表贴封装形式符合现代电子设备小型化、高密度组装的需求。其作为“1对共阳极”的配置，特别适合于需要二极管对平衡工作的电路拓扑，例如双平衡混频器或相位检测电路，能有效抑制偶次谐波并改善端口隔离度。

在应用场景方面，HSMS-286E-BLKG主要面向GHz频段以下的射频前端电路。其低电容、快速开关的特性使其成为射频检波、信号混频、低功耗倍频以及高速开关电路的理想选择。常见于无线通信模块、测试测量设备、传感器信号调理等领域的相关设计中，为系统提供高效的非线性信号处理功能。

• 制造商产品型号：HSMS-286E-BLKG
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 1 对共阳极
• 电压-峰值反向（最大值）：4V
• 电流-最大值：-
• 不同Vr、F时电容：0.25pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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