HSMS-286C-TR1G技术参数

HSMS-286C-TR1G是安华高科技（现隶属于Broadcom博通）推出的一款表面贴装肖特基二极管对，采用串联配置的单片集成设计。该器件基于成熟的GaAs肖特基势垒工艺，在单一芯片上集成两个性能匹配的二极管单元，通过内部连接构成串联拓扑。这种架构不仅确保了两个二极管单元在电气特性上具有高度的一致性，还通过串联结构将反向击穿电压能力提升至4V，同时有效控制了寄生参数，为射频信号处理提供了稳定的基础。

该器件在射频应用中表现出显著的低损耗特性，其核心优势在于极低的结电容与快速开关响应。在零偏压条件下，典型结电容值仅为0.25pF（测试条件：1MHz），这使得它在高频乃至微波频段仍能保持优异的信号完整性，对插入损耗和信号衰减的控制极为出色。其肖特基结构赋予了它极低的正向导通电压和快速的恢复时间，非常适合处理小信号检波、混频以及高速开关等任务。此外，其工作结温高达150°C，展现了良好的热稳定性和可靠性，适用于环境要求较为严苛的场合。

该芯片采用紧凑的SC-70（SOT-323）封装，这种微型封装不仅节省了宝贵的PCB空间，还优化了高频下的引线电感，有利于提升整体电路的高频性能。其电气接口简洁，主要参数围绕低电容、适中的反向电压以及高温工作能力展开。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过安华高一级代理获取详细的技术资料与库存支持。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备和备件供应中，它仍然是一个经典且性能经过验证的选择。

在应用层面，HSMS-286C-TR1G主要面向需要高频率、低损耗操作的射频前端电路。它常见于通信设备的混频器、检波器模块，用于信号的频率转换或功率检测；也适用于仪器仪表中的采样保持电路、限幅器以及低功耗的射频开关设计。其微型封装和稳定的性能使其在空间受限的便携式无线设备、射频识别（RFID）读写模块以及各类传感器接口电路中，都能发挥关键作用。

• 制造商产品型号：HSMS-286C-TR1G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 1 对串联
• 电压-峰值反向（最大值）：4V
• 电流-最大值：-
• 不同Vr、F时电容：0.25pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴，我们长期提供HSMS-286C-TR1G现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。