HSMS-286C-TR1技术参数

HSMS-286C-TR1是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用串联配置的芯片架构。该器件基于成熟的肖特基势垒技术，其核心在于利用金属-半导体结实现快速开关与低正向压降特性。内部集成的两个二极管以串联形式连接于一个微型封装内，这种集成化设计不仅优化了高频路径的对称性，也有效减少了传统分立方案所需的PCB面积和寄生参数，为射频信号链路的紧凑化设计提供了基础。

该芯片的功能特点突出表现在其射频性能上。其极低的结电容（典型值0.25pF @ 0V, 1MHz）是保障高频应用性能的关键，这使其在GHz频段下仍能保持优异的信号完整性，最小化对高频信号的衰减与相位失真。串联对的结构使其特别适用于需要直流偏置或电平转换的平衡混频器、倍频器及检波电路。尽管其峰值反向电压额定值为4V，限制了其在高压环境下的应用，但这一特性恰好匹配了许多低功耗射频系统的逻辑电平与信号摆幅要求。用户在采购此类原厂已停产的优质器件时，通过可靠的安华高代理渠道是确保产品来源与质量的重要途径。

在接口与参数方面，HSMS-286C-TR1采用标准的SOT-323（SC-70）三引脚封装，便于自动化贴装并满足高密度电路板布局的需求。其工作结温高达150°C，提供了在宽温环境下稳定工作的可靠性。电气参数中，低结电容与串联结构带来的对称性是其最核心的接口特性，直接决定了它在高频电路中的角色通常作为非线性元件，用于信号的频率转换、调制解调或功率检测。虽然部分动态参数如最大电流、功率耗散未在标准数据表中明确标注，这要求设计者需参考典型应用曲线并在安全裕度下进行电路设计。

就应用场景而言，这款芯片主要面向对尺寸和频率性能有苛刻要求的领域。它常见于微波检波器、低功耗射频识别（RFID）阅读器前端、C波段及以下的混频器平衡电路，以及便携式通信设备中的信号强度指示（RSSI）电路。其微型封装和优异的高频特性，也使其成为卫星通信模块、测试测量仪器探头等高端设备中实现精密信号处理功能的理想选择。尽管产品状态标注为停产，但在许多现有系统和备件供应中，它依然是一款经典且性能备受认可的设计选项。

• 制造商产品型号：HSMS-286C-TR1
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 1 对串联
• 电压-峰值反向（最大值）：4V
• 电流-最大值：-
• 不同Vr、F时电容：0.25pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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