HSMS-286C-BLKG技术参数

HSMS-286C-BLKG是一款由安华高科技（Avago Technologies，现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用串联配置，专为高频射频应用而优化。其核心架构基于成熟的肖特基势垒技术，通过精密的半导体工艺将一对二极管集成在微型封装内，这种串联结构特别有利于需要更高反向击穿电压或特定偏置配置的电路设计，同时确保了器件在高频下的优异性能与稳定性。

该器件在功能上最突出的特点是其极低的结电容，在0V偏压和1MHz测试频率下典型值仅为0.25pF。这一关键特性使其在射频信号路径中引入的损耗和相位失真极小，非常适合处理高频信号。其反向峰值电压为4V，提供了足够的保护裕度。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计代表了特定时期对高性能、微型化射频二极管的需求，其技术规格在同类产品中依然具有参考价值。对于需要此类特定规格的存量项目或替代方案评估，专业的安华高一级代理能够提供全面的产品生命周期信息与技术支持。

在接口与参数方面，HSMS-286C-BLKG采用标准的SC-70（SOT-323）三引脚封装，便于自动化贴装并节省宝贵的PCB空间。其工作结温高达150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。虽然其最大正向电流和功率耗散参数未在通用规格书中明确标定，这通常意味着其设计焦点在于小信号检波、混频或高频开关等低功率应用，而非功率处理。用户在设计时需参考详细的器件模型或应用笔记以获得精确的电气特性。

从应用场景来看，凭借其超低电容和串联结构，HSMS-286C-BLKG传统上被广泛应用于微波频段的信号检波器、平衡混频器、频率倍增器以及高速开关电路中。例如，在通信设备的射频前端，它可以用于精确的功率电平检测或作为本地振荡器链中的谐波发生元件。其微型封装也使其非常适合空间受限的便携式设备和高密度集成的模块设计。

• 制造商产品型号：HSMS-286C-BLKG
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 1 对串联
• 电压-峰值反向（最大值）：4V
• 电流-最大值：-
• 不同Vr、F时电容：0.25pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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