HSMS-286B-TR1技术参数

作为一款由安华高科技（Avago Technologies，现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频肖特基二极管，HSMS-286B-TR1的核心架构基于高性能的肖特基势垒结。该器件采用单管芯设计，其金属-半导体结特性在射频应用中表现出极低的结电容和正向压降，这对于维持高频信号的完整性至关重要。其物理结构经过优化，旨在最小化寄生参数，确保在微波频段下仍能保持稳定的电气性能。

该二极管的功能特点突出体现在其射频性能上。在0V偏压、1MHz测试条件下，其结电容典型值仅为0.25pF，这一极低的电容值使其对高频信号的旁路效应降至最低，非常适合用于高频检波、混频以及低损耗开关电路。同时，其峰值反向电压（VRRM）为4V，提供了足够的反向耐压能力，适用于常见的低电压射频系统环境。其工作结温高达150°C，确保了器件在较为严苛的热环境下仍能可靠工作。

在接口与关键参数方面，HSMS-286B-TR1采用紧凑的SC-70（SOT-323）表面贴装封装，这种小型化封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了高频下的引线电感。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计规格依然代表了射频肖特基二极管在特定应用领域的经典性能标杆。对于需要此类高性能分立器件的项目，通过可靠的安华高代理渠道获取库存或替代方案是确保供应链稳定和产品可靠性的重要途径。

其典型的应用场景广泛覆盖了无线通信领域。得益于低结电容和良好的高频特性，它常被用于移动通信设备、无线局域网（WLAN）模块、卫星接收前端等系统中的信号检波器、低功耗混频器以及低插损的PIN二极管驱动或保护电路。在测试与测量设备中，如频谱分析仪和标量网络分析仪，它也常用于构建高灵敏度的检波探头，以实现对微弱射频信号的精确测量。

• 制造商产品型号：HSMS-286B-TR1
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 单
• 电压-峰值反向（最大值）：4V
• 电流-最大值：-
• 不同Vr、F时电容：0.25pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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