

HSMS-2864-TR1G技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3
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HSMS-2864-TR1G技术参数详情说明:
HSMS-2864-TR1G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装射频肖特基二极管对。该器件采用紧凑的SOT-23-3封装,内部集成了一对共阴极配置的肖特基二极管,这种架构使其特别适用于需要平衡或差分信号处理的射频电路。其核心优势在于极低的结电容和快速开关特性,为高频应用提供了高效的整流、检波与混频功能。
该芯片在0V偏压和1MHz测试条件下,典型结电容仅为0.3pF,这一低电容特性显著降低了高频信号在通过二极管时的损耗和信号失真,确保了在甚高频(VHF)乃至更高频段下的性能表现。其峰值反向电压为4V,适用于低电压工作环境。尽管其最大工作结温高达150°C,展现了良好的热稳定性,但值得注意的是,该产品目前已处于停产状态,在选型时需考虑供应链的长期支持,可通过正规的安华高一级代理获取库存或替代方案咨询。
在接口与参数层面,HSMS-2864-TR1G采用标准的TO-236-3(SC-59, SOT-23-3)三引脚封装,便于自动化贴装并节省电路板空间。其共阴极设计简化了外部偏置电路,在实现双二极管功能的同时,有效减少了外围元件数量。低结电容与低正向压降的肖特基结相结合,使其在微弱信号处理中具有高灵敏度和高效率。
该器件典型的应用场景涵盖无线通信设备、卫星接收模块、测试与测量仪器中的射频检波器、混频器以及高速开关电路。它也常用于需要精确信号幅值检测的AGC(自动增益控制)环路,以及低功耗便携设备的能量收集与射频识别(RFID)前端。其小型化封装和优异的射频性能,使其成为对空间和频率响应有苛刻要求的紧凑型射频设计的经典选择之一。
- 制造商产品型号:HSMS-2864-TR1G
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 1 对共阴极
- 电压-峰值反向(最大值):4V
- 电流-最大值:-
- 不同Vr、F时电容:0.3pF @ 0V,1MHz
- 不同If、F时电阻:-
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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