HSMS-285C-TR1G技术参数

HSMS-285C-TR1G是一款由安华高科技（Avago Technologies，现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用串联配置，专为高频射频信号处理应用而优化。其核心架构基于成熟的肖特基势垒技术，通过精密的半导体工艺将一对二极管集成于微型封装内，这种串联结构在射频电路中常用于实现电压倍增、信号检波或ESD保护功能，其设计重点在于最小化寄生参数对高频性能的影响。

该器件在功能上表现出显著的高频特性优势，其典型结电容极低，在1V反向偏压和1MHz测试条件下仅为0.3pF，这一关键参数确保了在UHF乃至更高频段下，二极管引入的容性负载和信号损耗被降至最低，从而维持电路的整体带宽和信号完整性。同时，其峰值反向电压为2V，适用于低电压摆幅的射频信号环境。尽管该产品目前已处于停产状态，但其稳定的性能和经过市场验证的可靠性，使其在特定存量设计和维修市场中仍具参考价值，用户可通过安华高代理渠道获取库存或替代产品信息。

在接口与参数方面，HSMS-285C-TR1G采用标准的SC-70（SOT-323）三引脚封装，便于自动化贴装并节省PCB空间。其工作结温高达150°C，提供了较宽的温度适应性。虽然部分动态参数如最大正向电流和串联电阻在标准数据表中未明确标注，但其低电容、低反向电压的特性已明确指向了小信号、高频处理的应用定位。工程师在设计时需结合具体电路模型来评估其实际工作状态下的性能。

该芯片典型的应用场景集中在射频信号检波、低功耗混频器、以及高频开关电路中。例如，在无线通信模块的接收信号强度指示（RSSI）电路里，利用其低开启电压和快速开关特性进行包络检波；在便携式设备的射频前端，也可用于ESD保护或作为限幅器，保护后续敏感的低噪声放大器。其微型封装尤其适合对空间有严苛要求的现代消费电子和物联网设备。

• 制造商产品型号：HSMS-285C-TR1G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 1 对串联
• 电压-峰值反向（最大值）：2V
• 电流-最大值：-
• 不同Vr、F时电容：0.3pF @ 1V，1MHz
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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