

HSMS-2852-TR1G技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT23-3
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HSMS-2852-TR1G技术参数详情说明:
HSMS-2852-TR1G是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管对,采用串联配置。该器件采用紧凑的SOT-23-3封装,其核心架构基于先进的肖特基势垒技术,旨在实现极低的正向压降和极快的开关速度,这对于高频信号处理至关重要。其内部集成的两个二极管以串联形式连接,这种结构在需要电压倍增或特定偏置配置的电路中提供了设计灵活性。
该器件的显著功能特点在于其卓越的射频性能。它在1V反向偏压和1MHz测试条件下,典型结电容低至0.3pF,这一极低的电容值使其对高频信号的旁路效应降至最低,从而保证了信号完整性,尤其适用于GHz级别的应用。其峰值反向电压为2V,适用于低电压信号环境。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计规格,包括高达150°C的结温工作能力,依然体现了其在高可靠性应用中的潜力。对于需要寻找可靠库存或替代方案的工程师,可以咨询专业的AVAGO代理商获取进一步支持。
在接口与关键参数方面,HSMS-2852-TR1G采用标准的TO-236-3(SC-59, SOT-23-3)三引脚封装,便于自动化贴装和节省PCB空间。其电气参数围绕射频优化展开,低结电容和串联结构是其核心接口特性,直接决定了其在电路中的高频响应和阻抗匹配表现。虽然最大连续电流和功耗未在标准参数中明确标注,但其肖特基二极管的基本特性确保了在额定条件下的低功耗运行。
基于其技术特性,HSMS-2852-TR1G的传统应用场景主要集中在需要高效高频整流的领域。它非常适合用于微波混频器、射频检波器、采样保持电路以及低功耗UHF/VHF频段的信号调理模块中。其快速开关特性和低电容使其在通信设备、测试仪器及雷达系统的前端电路中能够有效处理微弱的高频信号,尽管已停产,其在现有设备维护和特定历史设计中的价值依然存在。
- 制造商产品型号:HSMS-2852-TR1G
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT23-3
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
- 电压-峰值反向(最大值):2V
- 电流-最大值:-
- 不同Vr、F时电容:0.3pF @ 1V,1MHz
- 不同If、F时电阻:-
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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