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HSMS-282P-TR2G技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT363
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HSMS-282P-TR2G技术参数详情说明:

HSMS-282P-TR2G是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管对,采用紧凑的6引脚SOT-363(SC-88)封装。该器件内部集成了两对串联的肖特基二极管,这种架构使其在射频信号路径中能够提供对称的电气特性,特别适用于需要平衡处理或倍频功能的电路设计。其核心优势在于极低的结电容和串联电阻,这直接决定了其在射频应用中的高频性能上限。

该芯片的关键特性在于其卓越的射频性能参数。在零偏压条件下,其典型结电容低至1pF,这确保了在高达数GHz的工作频率下,由器件本身引入的信号损耗和相位失真被降至最低。同时,在5mA正向电流下测得的典型串联电阻仅为12欧姆,这有助于降低二极管在导通状态下的压降和热损耗,提升整机效率。其峰值反向电压为15V,最大正向电流为1A,结合高达150°C的结温工作能力,为设计提供了可靠的鲁棒性保障。值得注意的是,该产品系列目前已处于停产状态,在选型时需考虑供应链的长期可获得性,通过正规的安华高代理渠道进行采购是确保器件质量和追溯性的重要方式。

在接口与参数方面,HSMS-282P-TR2G采用标准的SOT-363封装,其微小的尺寸非常适合高密度PCB布局。引脚配置为两对独立的二极管,为电路设计提供了灵活性,可以方便地配置为平衡混频器、检波器或倍频器。其电气参数,如低电容、低电阻和高结温,共同定义了一个适用于苛刻射频环境的高性能开关与信号处理元件。

基于其技术特性,HSMS-282P-TR2G典型的应用场景集中在高频电子系统中。它常被用于微波混频与检波电路,作为本振信号与射频信号的非线性混合元件;在频率倍增器中,利用其非线性特性产生输入频率的谐波;此外,也适用于高速开关、射频信号采样与峰值检波等电路。尽管已停产,其在一些对尺寸和性能有严格要求的现有设备维护或特定设计中,仍是一个值得参考的高性能解决方案。

  • 制造商产品型号:HSMS-282P-TR2G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT363
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 2 对串联
  • 电压-峰值反向(最大值):15V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HSMS-282P-TR2G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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