HSMS-282M-TR1G技术参数

作为安华高科技（现隶属于Broadcom博通）推出的一款射频肖特基二极管，HSMS-282M-TR1G采用了紧凑的SOT-363（SC-88）封装，其核心架构集成了两对共阴极配置的肖特基结。这种设计在单个微型封装内实现了双二极管功能，特别适用于需要平衡或对称信号处理的电路布局，有效节省了PCB空间并简化了电路设计。其肖特基势垒结构是实现高频性能的关键，提供了极低的结电容和快速开关特性。

该器件的功能特点突出体现在其高频性能参数上。在0V偏压和1MHz测试频率下，其典型结电容仅为1pF，这一低电容特性对于维持高频信号的完整性、减少信号损耗至关重要。同时，在5mA正向电流和1MHz条件下，其典型串联电阻为12欧姆，较低的电阻有助于降低导通压降和功率损耗。结合15V的最大峰值反向电压和1A的最大正向电流能力，使其能够在多种射频信号电平下稳定工作。其结温（Tj）最高可承受150°C，确保了在较高环境温度下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的安华高芯片代理获取相关产品信息和技术支持。

在接口与参数方面，该器件采用标准的6引脚TSSOP封装，便于表面贴装（SMT）生产。其“2对共阴极”的引脚配置意味着内部两个二极管的阴极在电气上是相连的，这为设计平衡混频器、倍频器或检波器电路提供了便利。关键的射频参数，如低电容和低串联电阻，共同决定了其在微波频段下的插入损耗和隔离度性能。虽然该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在既有系统和备件市场中仍具应用价值。

基于上述技术特性，HSMS-282M-TR1G典型应用于高频信号处理领域，例如微波检波、低功耗混频以及频率高达数GHz的信号采样。它也常见于通信设备的射频前端模块、测试与测量仪器的探测电路，以及需要高效整流的高频电源电路中。其微型封装尤其适合对空间有严格限制的便携式无线设备和高密度集成的射频模组。

• 制造商产品型号：HSMS-282M-TR1G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT363
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 2 对共阴极
• 电压-峰值反向（最大值）：15V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：1pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：12 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴，我们长期提供HSMS-282M-TR1G现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。