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HSMS-282L-TR1G技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT363
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HSMS-282L-TR1G技术参数详情说明:

HSMS-282L-TR1G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管阵列。该器件采用紧凑的6引脚SOT-363(SC-88)封装,内部集成了三个独立的肖特基二极管单元,为高频电路设计提供了高集成度与布局灵活性。其核心架构基于成熟的肖特基势垒技术,通过金属-半导体结实现快速开关特性,特别优化了射频信号下的性能表现,确保了在GHz频段内仍能保持低损耗和高效率。

在功能特性上,该二极管阵列的突出优势在于其极低的寄生参数。在0V偏置、1MHz测试条件下,其结电容典型值仅为1pF,这一特性对于维持高频电路的阻抗匹配和信号完整性至关重要。同时,在5mA正向电流、1MHz条件下,其串联电阻为12欧姆,有效降低了导通状态下的功率损耗。其峰值反向电压(VRRM)为15V,最大正向电流(IF)可达1A,结合高达150°C的结温(TJ)工作能力,使其在一定的功率和温度范围内具备可靠的鲁棒性。对于需要稳定供应的项目,可以通过专业的AVAGO代理商获取库存和技术支持。

从接口与参数角度看,SOT-363封装形式非常适合高密度PCB布局,三个独立二极管为电路设计,如平衡混频器、射频开关或信号采样保持电路,提供了极大的便利。其电气参数,尤其是低电容和低串联电阻的组合,直接决定了它在高频应用中的性能上限,使其能够胜任对信号衰减和波形失真要求严苛的场合。

该器件典型的应用场景集中在射频与微波领域。它常被用于UHF至微波频段的检波、混频和低功耗开关电路中,例如在无线通信模块、卫星接收前端、测试测量设备以及雷达系统中作为关键的无源非线性元件。其快速恢复特性和低寄生参数使其在高速脉冲整形和信号采样电路中也能发挥作用。尽管其零件状态标注为停产,但在许多现有设备维护和特定设计延续中,它仍然是一个经过验证的可靠选择。

  • 制造商产品型号:HSMS-282L-TR1G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT363
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 3 个独立式
  • 电压-峰值反向(最大值):15V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HSMS-282L-TR1G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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