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HSMS-282K-TR2G技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT363
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HSMS-282K-TR2G技术参数详情说明:

在射频前端与信号调理电路中,HSMS-282K-TR2G是一款采用肖特基工艺的隔离式对管二极管,其核心架构基于一对在SOT-363微型封装内实现电气隔离的肖特基结。这种隔离设计有效降低了两个二极管之间的寄生耦合,使其特别适用于需要高隔离度的平衡混频器、检波器及开关电路。该器件采用先进的半导体工艺,确保了在高达150°C的结温下仍能保持稳定的电气特性,为高密度、高可靠性应用提供了基础。

该二极管的功能特点突出体现在其优异的射频性能上。在0V偏置、1MHz测试条件下,其结电容典型值低至1pF,这一特性对于维持高频信号路径的完整性、减少信号损耗至关重要。同时,在5mA正向电流、1MHz条件下,其串联电阻仅为12欧姆,较低的导通电阻有助于降低信号在开关或检波状态下的插入损耗,提升系统效率。其峰值反向电压为15V,最大正向电流为1A,提供了足够的操作余量。对于需要稳定供应链与技术支持的客户,可以通过专业的安华高一级代理获取该产品的相关技术与商务服务。

在接口与参数层面,HSMS-282K-TR2G采用了紧凑的6引脚TSSOP(SC-88, SOT-363)封装,这种封装形式不仅节省了宝贵的PCB空间,也优化了高频下的寄生参数。其“1对隔离式”的二极管类型意味着两个二极管在物理结构上相互独立,为差分或平衡电路设计带来了便利。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的性能参数和广泛的设计验证记录,使其在现有系统和特定备件需求中仍具有重要参考价值。

该器件的典型应用场景涵盖通信基础设施、测试测量设备及消费电子领域。它常被用于UHF至微波频段的低功耗检波、信号采样以及高速开关电路中。其低电容、低电阻的特性使其非常适合集成到要求高灵敏度和快速响应的射频前端模块,例如无线局域网(WLAN)设备、卫星接收机LNB以及频谱分析仪的输入保护与信号调理单元。在平衡混频器设计中,其隔离对管结构能有效抑制本振泄漏,改善系统的线性度和动态范围。

  • 制造商产品型号:HSMS-282K-TR2G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT363
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对隔离式
  • 电压-峰值反向(最大值):15V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HSMS-282K-TR2G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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