HSMS-282E-TR2G技术参数

HSMS-282E-TR2G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管对，采用紧凑的SOT-323（SC-70）封装。该器件内部集成了一对共阳极配置的肖特基二极管，这种架构特别适用于需要信号平衡处理或混频的射频电路设计。其核心优势在于极低的结电容和串联电阻，在0V偏压和1MHz测试条件下，典型结电容仅为1pF，而在5mA正向电流下，串联电阻低至12欧姆，这确保了其在射频信号路径中引入的损耗和相位失真极小。

该二极管对的功能特点突出体现在其高频性能上。极低的寄生参数使其能够工作在UHF乃至更高频段，同时保持出色的信号完整性。其峰值反向电压为15V，最大正向电流为1A，提供了足够的操作余量。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在现有系统和备件市场中仍具参考价值。其工作结温高达150°C，展现了良好的热稳定性，适合在要求苛刻的环境下运行。对于需要采购此类经典器件的工程师，通过正规的安华高代理商渠道获取库存或替代方案信息是推荐做法。

在接口与参数层面，HSMS-282E-TR2G的三个引脚清晰定义了共阳极和两个独立的阴极，便于在平衡电路布局中实现对称连接。其SOT-323封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了高频下的引线电感。关键的电学参数，包括低电容、低电阻以及适中的反向电压，共同定义了它在射频信号处理中的角色作为一个高速、低损耗的开关或非线性元件。

基于上述特性，HSMS-282E-TR2G的传统应用场景主要集中在高频电路领域。它非常适合用于混频器、检波器、高速开关电路以及低功耗射频信号采样等场合。在通信设备、测试仪器仪表以及雷达系统的前端模块中，此类高性能肖特基二极管对能够有效完成频率转换、信号调制解调等关键功能。其小型化封装也使其成为对空间敏感的便携式无线设备或高密度集成模块的潜在选择。

• 制造商产品型号：HSMS-282E-TR2G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 1 对共阳极
• 电压-峰值反向（最大值）：15V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：1pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：12 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴，我们长期提供HSMS-282E-TR2G现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。