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HSMS-282C-TR2G技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:SC-70,SOT-323
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT323
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HSMS-282C-TR2G技术参数详情说明:

HSMS-282C-TR2G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管对,采用串联配置集成于微型SOT-323(SC-70)封装内。该器件专为高频信号处理优化,其核心架构基于肖特基结技术,利用金属-半导体接触形成的势垒实现快速开关与低正向压降特性。串联对管设计在单一封装内集成了两个匹配的二极管,简化了电路布局,特别适用于需要对称或平衡信号路径的射频应用。

该芯片在射频领域展现出显著优势,其极低的结电容(典型值1pF @ 0V, 1MHz)是核心特性之一,这确保了在高达数GHz的工作频率下,对信号路径的加载效应最小化,从而维持良好的信号完整性与带宽。同时,串联电阻(典型值12欧姆 @ 5mA, 1MHz)也处于较低水平,有助于减少信号衰减和功率损耗。器件具备15V的最大峰值反向电压和1A的最大正向电流能力,提供了可靠的电气保护裕度。其紧凑的SOT-323封装不仅节省了宝贵的PCB空间,也优化了高频下的寄生参数性能。

在接口与参数方面,HSMS-282C-TR2G作为无源器件,其电气接口简洁,三个引脚分别对应两个二极管的阳极和共阴极连接。其性能参数在宽温范围内保持稳定,最高结温可达150°C,适应严苛的工作环境。用户可通过安华高中国代理获取详细的技术规格与设计支持。该器件广泛应用于混频器、检波器、采样保持电路以及高频信号开关等场景,是通信设备、测试仪器、雷达模块等系统中实现高效射频信号整流的理想选择,尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要参考价值。

  • 制造商产品型号:HSMS-282C-TR2G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT323
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
  • 电压-峰值反向(最大值):15V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:SC-70,SOT-323
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HSMS-282C-TR2G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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