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HSMS-282C-TR1G技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:SC-70,SOT-323
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT323
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HSMS-282C-TR1G技术参数详情说明:

HSMS-282C-TR1G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管对,采用串联配置,专为高频射频信号处理应用而优化。该器件采用先进的半导体工艺,其核心架构基于金属-半导体结,相较于传统PN结二极管,具备更低的开启电压和更快的开关速度,这对于处理微波及射频信号至关重要。其串联对管结构在单一封装内集成了两个匹配的二极管,简化了电路布局,同时提升了在高频应用中的对称性和平衡性。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的高频性能上。极低的结电容(典型值1pF @ 0V,1MHz)是其主要优势之一,这使其在高达数GHz的工作频率下仍能保持优异的信号完整性,有效减少对高频信号的衰减和相位失真。同时,串联配置下的低串联电阻(典型值12欧姆 @ 5mA,1MHz)进一步降低了信号通路中的损耗。其反向峰值电压为15V,正向电流可达1A,结合高达150°C的结温工作能力,确保了在苛刻环境下的可靠性与稳定性。用户可以通过AVAGO代理商获取该产品的详细技术资料与库存信息。

在接口与参数方面,HSMS-282C-TR1G采用紧凑的SOT-323(SC-70)封装,非常适合高密度PCB板设计。其电气参数,如低电容和低串联电阻,使其在宽频带内具有平坦的频率响应特性。这些参数共同定义了其在射频电路中的核心作用:作为一个高效、快速的非线性元件,用于信号的检波、混频、开关和限幅。

基于上述特性,HSMS-282C-TR1G广泛应用于需要高频信号处理的领域。典型应用场景包括移动通信设备(如手机、基站)中的射频检波与功率监测模块、微波接收机前端的混频器、测试与测量仪器中的高速开关电路,以及卫星通信和雷达系统中的信号调理单元。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备和备件供应中,它仍然是一个经过验证的高性能选择。

  • 制造商产品型号:HSMS-282C-TR1G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT323
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
  • 电压-峰值反向(最大值):15V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:SC-70,SOT-323
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HSMS-282C-TR1G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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