HSMS-282B-BLKG技术参数

作为一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计的射频肖特基二极管，HSMS-282B-BLKG采用了成熟的单管芯肖特基架构。其核心在于利用金属-半导体结形成的肖特基势垒，相较于传统PN结二极管，具有更低的正向压降和更快的开关速度，这使其在射频信号处理中表现出色，能够高效处理高频信号下的检波、混频与开关功能。

该器件在射频性能上具有显著优势。其典型结电容在0V偏压、1MHz测试条件下仅为1pF，极低的寄生电容有效减少了高频信号的损耗与失真，确保了信号路径的完整性。同时，在5mA正向电流、1MHz条件下的典型串联电阻为12欧姆，较低的导通电阻有助于降低信号衰减和功率损耗，提升系统效率。结合15V的最大峰值反向电压和1A的最大正向电流规格，它在提供必要电气保护的同时，也能满足中小功率射频电路的设计需求。

在物理实现上，HSMS-282B-BLKG采用了紧凑的SOT-323（SC-70）表面贴装封装。这种小型化封装不仅节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度电路板布局，也便于自动化贴片生产。其结温（Tj）最高可支持至150°C，保证了器件在较高环境温度下的可靠工作。对于需要获取此型号技术资料或库存支持的工程师，可以通过专业的安华高中国代理渠道进行咨询。

基于其技术特性，HSMS-282B-BLKG典型应用于需要高频、快速响应的场景。它常见于UHF及微波频段的信号检波电路、低功耗混频器的设计，以及高速射频开关阵列中。此外，在通信模块、测试测量设备及各类便携式无线产品的射频前端电路中，也能发挥其小尺寸、高性能的优势。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有系统维护或特定设计中，它仍然是一个经典且值得参考的射频二极管解决方案。

• 制造商产品型号：HSMS-282B-BLKG
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 单
• 电压-峰值反向（最大值）：15V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：1pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：12 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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