HSMS-2829-TR1G技术参数

HSMS-2829-TR1G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用紧凑的SOT-143-4（TO-253-4）封装。该器件属于射频肖特基交叉二极管系列，其核心架构基于先进的金属-半导体结技术，旨在实现高频信号下的低损耗整流与检波。其交叉对配置将两个独立的肖特基二极管集成于单一封装内，共享一个公共节点，这种结构特别有利于平衡混频器、倍频器以及需要对称二极管对的高频电路设计，有效减少了寄生参数并提升了电路的一致性。

该二极管的功能特点突出体现在其优异的射频性能上。其极低的结电容（典型值1pF @ 0V, 1MHz）是确保高频应用性能的关键，这使其能够在高达数GHz的频率范围内保持出色的信号完整性，最小化对高频信号的旁路效应。同时，较低的正向串联电阻（典型值12欧姆 @ 5mA, 1MHz）有助于降低导通压降，提升检波效率和动态范围。其峰值反向电压为15V，最大正向电流为1A，提供了足够的操作余量。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在既有系统和特定设计中仍具参考价值。对于需要获取此类经典器件的工程师，通过可靠的AVAGO代理商渠道进行咨询是可行的途径之一。

在接口与参数方面，HSMS-2829-TR1G采用四引脚SOT-143封装，便于自动化贴装并节省PCB空间。其电气接口清晰，两个二极管以交叉形式连接，便于电路布局。关键参数如低电容、低串联电阻与高达150°C的结温（TJ）工作能力，共同定义了其在严苛环境下的可靠性边界。这些参数使其在要求低损耗、高速度和高温度稳定性的场景中表现出色。

其典型应用场景广泛覆盖了射频与微波领域。它常被用于微波混频器与调制解调器中的平衡混频单元，利用其对称特性抑制本振泄漏。在射频检波与功率监测电路中，其快速开关特性和低结电容能实现精确的信号幅度检测。此外，它也适用于频率倍增器、限幅器以及高速开关电路。尽管面临产品生命周期状态的变化，HSMS-2829-TR1G所代表的技术特性仍然是评估和设计高频二极管应用时的一个重要基准。

• 制造商产品型号：HSMS-2829-TR1G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT143-4
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 交叉
• 电压-峰值反向（最大值）：15V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：1pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：12 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：TO-253-4，TO-253AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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