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HSMS-2827-TR2G技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-253-4,TO-253AA
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT143-4
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HSMS-2827-TR2G技术参数详情说明:

本文档提供HSMS-2827-TR2G的详细技术介绍。该器件是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用紧凑的SOT-143-4(TO-253-4)封装,专为高频射频应用而优化。其核心架构基于高性能肖特基结,通过精密的半导体工艺实现了极低的结电容和串联电阻,从而在射频信号路径中引入最小的损耗和失真,确保信号完整性。

该二极管的功能特点突出体现在其高频性能上。其典型结电容在0V偏压、1MHz测试条件下仅为1pF,这一超低电容值使其能够工作在极高的频率下,对信号的高次谐波抑制和混频效率至关重要。同时,在5mA正向电流、1MHz条件下测得的串联电阻典型值为12欧姆,较低的串联电阻有助于降低二极管在导通状态下的压降和功耗,提升整体能效。器件采用单桥接结构,最大反向峰值电压为15V,最大正向电流为1A,能够满足多数中低功率射频电路的保护与信号处理需求。其结温(TJ)最高可承受150°C,提供了较宽的工作温度范围保障。

在接口与参数方面,HSMS-2827-TR2G的封装形式为行业标准的四引脚SOT-143,便于自动化贴装并节省PCB空间。其电气参数组合低电容、低电阻、适中的电压与电流规格定义了一个性能均衡点。用户在设计时需注意,该器件已处于停产状态,在选用替代方案或进行长期产品规划时,建议通过可靠的安华高代理渠道获取最新的产品生命周期信息和技术支持,以确保供应链的稳定与设计的合规性。

基于上述特性,HSMS-2827-TR2G非常适合应用于对频率响应和插损敏感的射频前端电路。典型应用场景包括微波混频器、检波器、低功耗射频开关以及高速信号采样电路。在通信设备、测试仪器和雷达系统中,它常被用于实现信号的频率转换、功率检测或作为保护二极管使用。其紧凑的封装也使其成为空间受限的便携式无线设备(如早期的一些无线模块)中射频部分设计的可选元件之一。

  • 制造商产品型号:HSMS-2827-TR2G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT143-4
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 个桥接
  • 电压-峰值反向(最大值):15V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-253-4,TO-253AA
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HSMS-2827-TR2G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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