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HSMS-2824-TR2G技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3
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HSMS-2824-TR2G技术参数详情说明:

HSMS-2824-TR2G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管对,采用紧凑的SOT-23-3封装。该器件内部集成了一对共阴极配置的肖特基势垒二极管,这种架构使其特别适用于需要高频信号处理的平衡混频器、检波器及倍频电路。其核心优势在于极低的结电容与串联电阻,在0V偏压和1MHz测试条件下,典型结电容仅为1pF,而在5mA正向电流下,串联电阻低至12欧姆,这确保了在射频及微波频段具有出色的信号完整性与低损耗特性。

该芯片的功能特点突出其高频性能。其肖特基结构提供了快速开关速度,这对于高频信号的整流与检波至关重要。最大峰值反向电压为15V,最大正向电流为1A,提供了足够的操作余量。值得注意的是,其工作结温高达150°C,增强了在高温环境下的可靠性。对于需要稳定供应链的客户,可以通过专业的安华高芯片代理获取相关技术支持和库存信息。尽管该产品状态已标注为停产,但在许多现有设备和设计中,它依然是关键元件,其性能参数在同类产品中具有代表性。

在接口与参数方面,该器件采用标准的SOT-23-3(TO-236-3)封装,便于自动化贴装,适合高密度PCB布局。其电气参数,如低至1pF的结电容,直接决定了其在高达数GHz频率下的可用性,而12欧姆的串联电阻则最小化了信号路径上的功率损耗。这些参数共同定义了其在射频前端电路中的核心价值,即实现高效、低失真的非线性信号处理。

其典型应用场景广泛覆盖无线通信基础设施、卫星接收模块、测试测量仪器以及雷达系统等领域。具体可用于LNB(低噪声下变频器)中的混频级、功率检测电路、以及频率合成器中的谐波抑制。其紧凑的封装和优异的射频特性使其成为空间受限且对性能有苛刻要求的高频模拟电路设计的理想选择。

  • 制造商产品型号:HSMS-2824-TR2G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对共阴极
  • 电压-峰值反向(最大值):15V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HSMS-2824-TR2G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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