HSMS-2820-TR2G技术参数

在射频信号处理领域，HSMS-2820-TR2G是一款基于肖特基势垒原理构建的单片式射频二极管。其核心架构采用高性能的金属-半导体结设计，这种结构使得载流子能够以极高的速度通过势垒，从而实现极快的开关响应和极低的正向压降。芯片在微小的SOT-23-3封装内集成了优化的结电容和串联电阻参数，确保了在高达1GHz及以上的频率范围内仍能保持优异的射频性能。

该器件在0V偏压、1MHz测试条件下的结电容典型值仅为1pF，这一极低的寄生电容特性是其关键优势，它能最大限度地减少对高频信号的加载和损耗，保证信号路径的完整性。同时，在5mA正向电流、1MHz条件下，其串联电阻仅为12欧姆，这带来了出色的导通效率和低插入损耗。其峰值反向电压（VRRM）为15V，最大正向电流（IF）可达1A，结合高达150°C的结温（TJ）工作能力，展现了良好的电气鲁棒性。用户可通过其标准的SOT-23-3封装引脚进行便捷的电路集成，该封装形式也利于实现高密度的PCB布局。

凭借其快速开关、低电容和低电阻的特性，HSMS-2820-TR2G非常适用于需要高效高频整流的场景，例如射频检波器、混频器以及低功耗UHF频段的信号调制解调电路。它也常被用于通信设备、测试仪器中的峰值检波和限幅保护电路。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在同类应用中仍具有重要参考价值，用户如需获取替代方案或库存支持，可以咨询专业的安华高代理以获取准确的技术与供应链信息。

• 制造商产品型号：HSMS-2820-TR2G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 单
• 电压-峰值反向（最大值）：15V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：1pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：12 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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