

HSMS-2820-TR1G技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3
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HSMS-2820-TR1G技术参数详情说明:
HSMS-2820-TR1G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管,采用经典的SOT-23-3封装。该器件基于肖特基势垒原理构建,其核心架构利用金属与半导体接触形成的整流结,相较于普通PN结二极管,具有更低的开启电压和更快的开关速度,这使其在射频与高速开关应用中表现出色。其内部采用单管芯设计,结构紧凑,旨在提供稳定可靠的整流与检波功能。
该器件的一个显著功能特点是其卓越的高频性能。在0V偏压和1MHz测试条件下,其结电容典型值仅为1pF,这一极低的寄生电容特性对于维持高频信号的完整性至关重要,能有效减少信号损耗和失真。同时,在5mA正向电流和1MHz条件下,其串联电阻为12欧姆,较低的电阻值有助于降低器件在导通状态下的功耗和压降。结合其高达150°C的结温(TJ)工作能力,该二极管在严苛的热环境下仍能保持性能稳定。
在电气接口与关键参数方面,HSMS-2820-TR1G定义了明确的性能边界。其最大反向峰值电压为15V,最大正向电流为1A,这为其在低压、中电流的电路设计中提供了安全裕度。标准的SOT-23-3封装(也称为TO-236-3或SC-59)使其兼容自动化贴装生产线,便于集成到高密度的PCB布局中。用户可通过安华高中国代理获取详细的技术规格与设计支持资料。
鉴于其优异的射频特性,HSMS-2820-TR1G主要面向高频应用场景。它常被用作UHF至微波频段的信号检波器、混频器中的非线性元件,或是在高速数字电路中作为钳位与保护二极管。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备维护、特定射频模块设计或对Avago/Broadcom器件有供应链延续要求的项目中,它仍然是一个经过市场验证的可靠选择,尤其适合对器件尺寸、高频响应和功耗有严格要求的便携式无线通信设备及测试仪器。
- 制造商产品型号:HSMS-2820-TR1G
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 单
- 电压-峰值反向(最大值):15V
- 电流-最大值:1A
- 不同Vr、F时电容:1pF @ 0V,1MHz
- 不同If、F时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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