HSMS-281F-TR2G技术参数

HSMS-281F-TR2G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管对，采用紧凑的SOT-323（SC-70）封装。该器件内部集成了一对共阴极配置的肖特基二极管，这种架构特别适用于需要高频信号处理与整流的射频电路设计。其核心优势在于极低的结电容与串联电阻，在0V偏压和1MHz测试频率下，典型结电容仅为1.2pF，而在5mA正向电流下，串联电阻低至15欧姆，这确保了其在射频范围内具有出色的信号完整性和低损耗特性。

该芯片的功能特点突出其高频性能。其极低的寄生参数使其能够高效工作在UHF乃至更高频段，同时，高达20V的峰值反向电压和1A的最大正向电流提供了良好的鲁棒性。尽管产品状态已标注为停产，但在许多现有系统和备件供应中，它依然是高频检波、混频、低功率整流以及信号钳位等关键功能的首选器件之一。其工作结温高达150°C，展现了良好的热可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的安华高一级代理获取相关的库存与技术资料支持。

在接口与参数方面，HSMS-281F-TR2G采用标准的三引脚SOT-323封装，其中两个阳极引脚和一个共用的阴极引脚，便于在PCB上进行布局。其电气参数，如低电容、低电阻与适中的反向电压，共同定义了其在射频路径中的行为。这些参数使其能够快速响应高频信号变化，同时将信号衰减和失真降至最低，是设计紧凑型高频模块时的理想选择。

典型的应用场景广泛覆盖了无线通信领域。它常被用于移动设备、无绳电话、卫星接收器等设备的射频检波器和混频器电路中，也适用于高速开关和采样保持电路。其小型化封装和优异的频率响应，使其在空间受限且对性能有高要求的射频前端设计中，能够有效提升系统的整体灵敏度和效率。

• 制造商产品型号：HSMS-281F-TR2G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 1 对共阴极
• 电压-峰值反向（最大值）：20V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：1.2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：15 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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